电工学(第七版)半导体课件.pptVIP

(14-*) 解：USB =5V时: IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE T 管工作于饱和区，因IC 和IB 已不是 ? 倍的关系 IC最大饱和电流： (14-*) 在以后的计算中，一般作近似处理： ? = 解： IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 P23：例14.5.2 已知UCE=6V时：IB=40?A, IC=1.5mA 和 IB=60 ?A, IC=2.3mA 时， 求? 和? 。 例2： (14-*) 例3：现测得放大电路中两晶体管各管脚电位如下： a：V1 = 12V，V2 = 3.7V，V3 = 3V； b：V1 = -6V，V2 = -2.1V，V3 = -1.9V 试判别各管的管脚、类型、材料。 解： 分析：b极 -- 中间电位, e极 – Ube很小 硅管:│Ube│ = 0.6 ~ 0.8V 锗管:│Ube│ = 0.2 ~ 0.3V NPN: Vc = max , Vc Vb Ve PNP: Vc = min , Ve Vb Vc 方法：先确定 b、e 、c 脚 , 然后确定材料、类型 a：脚2 = b 脚 脚3 = e 脚 脚1 = c 脚 硅管, NPN管 b： 脚2 = b 脚 脚3 = e 脚 脚1 = c 脚 锗管, PNP管 PNP管 NPN管 +++ ++ + + ++ +++ (14-*) 三、主要参数 前述电路中，三极管的发射极是输入和输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? (14-*) 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (14-*) 4.集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的 ? 值的下降，当 ? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集-射极之间的最大允许电压，称为集-射极反向击穿电压。手册上给出的数值是25?C的值。温度上升时，其值将降低。 (14-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 IC UCE 0 ICUCE=PCM (14-*) §14.6 光电器件 发光二极管 光电二极管 光电晶体管 有兴趣的同学自学！ 第十四章课后习题 P13: 14.3.8 ---- 二极管的应用(双)：限幅 P32： 14.3.8 ---- 二极管的应用：与门 P34: 14.4.3 ---- 稳压管的应用 14.5.8 ---- 晶体管：工作区 14.6.1 ---- 发光二极管及综合 P35: 14.5.11 ---- 综合应用 (选做) (1-*) 结 束 (14-*) 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。 内容小结 (14-*) 4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。 5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 6.晶体管特性可用输入特性曲