《材料科学基础》试卷.docVIP

判断题： 在图1所示的陶瓷封装IC中，引线和引线框架均采用Al-Si合金制成。 硅和锗均属于共价键晶体，其价电子是局域化的，共价键最显著的特点是具有方向性和饱和性，因此该类晶体几乎不能进行塑性变形，且往往脆性较大。 从本质上看，原子或分子在固体中扩散的驱动力是化学势梯度。 如果仅考虑温度一个外界条件的作用，则四元体系处于互相平衡状态时，体系的自由度为0，表示该体系中五个相的成分以及对应的温度均恒定不变。 A-B二元系中，A-B组元在液态下有限互溶，形成L1和L2两种液相，在固态下，两组元可形成不稳定的化合物相（β），在Ts温度下出现二相平衡反应，在此反应之前，体系由L1和L2两种液相组成，此反应结束后，体系由单一的β相组成，则此反应式为L1+L2=β，称为合晶反应（转变）。 纯铜的电阻率高于Cu-Ni合金的电阻率。 石英玻璃光纤中存在吸收损耗、散射损耗、弯曲损耗和涂层损耗等多种损耗，使总损耗谱呈图2所示，其中最早开发的是0.85nm的第一窗口，因为首先研究成功的半导体激光器（GaAlAs）的发射波长刚好在此波长范围。 电解电容器的电介质是Al、Nb、Ta等阀金属表面经阳极氧化后形成的氧化膜。 与刻录数据前相比，刻录后的不可擦除的CD光盘的表面形貌没有发生任何变化。 HIC中的引线框架材料可以是Fe-Ni合金，也可以是Cu-Fe-P合金，室温下，Fe具有fa晶体结构，Cu具有ba晶体结构，两者的致密度分别为0.68和0.74。 填空题 如图：立方晶系中：L为DH中点；晶面TEG指数为 ，HEG指数为 ，两晶面夹角为 。 位错是一种线缺陷，根据位置线与柏氏矢量之间的几何关系，可将位错划分为 三类。 相对于正常凝固而言，区域熔炼在工艺和效果上的最大特点是： 合金凝固的外部条件是存在一定的过冷，内部条件是存在 ， ， 。 在压电材料中，机电耦合系数用于描述 。 在II介电陶瓷中，常需使用移峰剂，其作用是： 。 为了能同时清晰地观察到引线与芯片，引线与引线框架这两个不在同一平面的连接情况，最好采用 显微镜。 当温度降低至超导临界转变温度Tc一下时，超导体的电阻值突然消失，超导体进入超导状态，此时 及 对这一状态影响很大，当上述两参数值过大时，均会使超导消失。 简述固溶体的四种分类及其分类结果。8 间隙化合物，间隙相，间隙固溶体的区别。 根据图4试验结果，说明可采用哪些方法提高Nb-Ti超导合金线材的临界电流密度，为什么？6 试述蒸镀过程（例如蒸镀光碟上的Te基合金）必须在一定真空度下进行的原因 试比较磁光型光盘与相变型光盘在工作原理上的区别（7） 试叙述第一类超导体和第二类超导体的区别。7 试根据给出的Te-Ge二元相图，写出所有三相平衡反应式。并说明反应类型和名称。6 九、结合Sn-Sb二元相图，回答： Sn-Sb二元体系中会出现哪些三相反应4 分析Sn~5%atSb(原子百分比)无铅焊料的平衡凝固过程，写出室温下的平衡凝固组织。5 分别写出在220度和160度下保温足够长的时间后，族合金的平衡组织，并分别计算两种情况下平衡组织中各相的百分比。如果保温后快速冷却到室温，试说明相对于缓慢冷却而言，两种显微组织有何变化？为什么？6 十、陶瓷材料含体积百分比为85%的主晶相A致密状态下地相对介电常数为100，还有15%的次晶相B致密状态下相对介电常数为90% 。计算和比较： 该陶瓷在主晶相和次晶相没有气孔时的介电常数 。 该陶瓷在主晶相和次晶相均含有15%的气孔时的介电常数 。 该陶瓷在主晶相含有15%的气孔、次晶相致密时的介电常数 。 该陶瓷在次晶相含有15%的气孔、主晶相致密时的介电常数 。 比较四者并总结显微组织的影响规律。 提示：由A、B两个均匀的相组成的材料相对常数可表示为：