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表 2.6 SFR特殊功能寄存器地址表 3. 外部数据存储器 外部数据存储器一般由静态RAM构成,其容量大小由用户根据需要而定, 最大可扩展到 64 KB RAM , 地址是 0000H~0FFFFH。 CPU通过MOVX指令访问外部数据存储器, 用间接寻址方式, R0、R1和 DPTR都可作间接寄存器。注意, 外部RAM和扩展的I/O接口是统一编址的, 所有的外扩I/O 口都要占用 64 KB中的地址单元。 2.5 单片机的引脚及其功能 图 2.6 MCS - 51单片机引脚及总线结构 (a) 管脚图; (b) 8031 引脚功能分类 2.5 并行输入/输出接口 图 2.7 P0 口内部一位结构图 1. P0口 2. P1、P2和P3口 P1、P2 和P3 口为准双向口, 在内部差别不大, 但使用功能有所不同。 P1口是用户专用 8 位准双向I/O口, 具有通用输入/输出功能, 每一位都能独立地设定为输入或输出。当有输出方式变为输入方式时, 该位的锁存器必须写入“1”, 然后才能进入输入操作。 P2口是 8 位准双向I/O口。外接I/O设备时, 可作为扩展系统的地址总线, 输出高8位地址, 与P0 口一起组成 16 位地址总线。 对于 8031 而言, P2 口一般只作为地址总线使用, 而不作为I/O线直接与外部设备相连。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制 引脚P0.X 3 4 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 双向I/O (内置场效应管上拉) 最小化系统:可作为8位准双向I/O口使用。控制=0 扩展模式时:分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;控制=1 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =1 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制 引脚P0.X 3 4 控制=0 时,此脚作输入口(事先必须对它写“1”) 0 0 1 0 0 截止 截止 =0 Vcc P0.0—P0.7: 双向I/O (内置场效应管上拉) 最小化系统:可作为8位准双向I/O口使用。控制=0 扩展模式时:分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;控制=1 单片机的引脚(P0口) 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时,此脚作地址/数据复用口:(1)输出地址/数据 =0 时 1 0 1 1 =0 导通 截止 =0 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 双向I/O (内置场效应管上拉) 最小化系统:可作为8位准双向I/O口使用。控制=0 扩展模式时:分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;控制=1 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时,此脚作地址/数据复用口:(2)输出地址/数据 =1 时 1 1 0 0 =1 截止 导通 =1 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 双向I/O (内置场效应管上拉) 最小化系统:可作为8位准双向I/O口使用。控制=0 扩展模式时:分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;控制=1 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =1 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时,此脚作地址/数据复用口: (3)输入数据时,输入指令将使引脚与内部总线直通 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 双向I/O (内置场效应管上拉) 最小化系统:可作为8位准双向I/O口使用。控制=0 扩展模式时:分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;控制=1 P2.0—P2.7: 双向I/O (内置了上拉电阻) 寻址外部程序存储器时输出高8位地址;不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址高8位 控制 引脚 P2.X 3 内部上拉电阻 Vcc 单片机的引脚(P2口) 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址高8位 控制 引脚P2.X 控制=0时,此脚作通用输出口: 输出=1时 1 1 0 截止 3 内部上拉电阻 1 1 Vcc =1 =0 P2.0—P2.7: 双向I/O (内置了上拉电阻) 寻址外部程序存储
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