电力晶体管.pptVIP

2.2 电力晶体管 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 。 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 2.2 电力晶体管 1）GTR的结构和工作原理 2.2 电力晶体管 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 （1-9） ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo （1-10） 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 2.2 电力晶体管 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态。 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。 2.2 电力晶体管 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 加快关断速度的办法。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 2.2 电力晶体管 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff (此外还有)： (1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。 实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。 2.2 电力晶体管 通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 。 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 (3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率。 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 2.2 电力晶体管 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 2.2 电力晶体管 5) GTR的基极驱动 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 2.2 电力晶体管 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 2.2 电力晶体管 6)GTR的缓冲电路(也称吸收电路) 作用：降低浪涌电压、减少器件的开关损耗、避免器件的二次击穿、抑制电磁干扰、减少du/dt、di/dt的影响以及提高电路的可靠性。 为了避免同时出现电压和电流的最大值，应分别考虑开启缓冲与关断缓冲的设置，以减少器件的开关耗损。 2.2 电力晶体管 （1）关断缓冲电路 关键是加入缓冲电容。限制du/dt，因此，不会出现集电极电压与集电极电流同时为最大的情况，因而不会出现最大瞬时尖峰功耗。书上图2-21所示。 电容量越大，瞬时关断损耗越小。 2.2 电力晶体管 （2）开通缓冲电路 开通时的关键因素是di/dt，常采用串联电感的方法进行缓冲。因此，不会出现集电极电压与集电极电流同时为最大的情况，因而不会出现最大瞬时尖峰功耗。书上图2-22所示。 电感量越大，开通损耗越小。 2.2 电力晶体管 （3）复合缓冲电路 将关断缓冲电路与开通缓冲电路结合在一起。 术语用法： 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 1）GTR的结构和工作原理 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2