模电第三章.pptVIP

3.2.1 载流子的漂移和扩散 由于电场作用而导致载流子的运动称为漂移。 基于载流子的浓度差异和随机热运动速度，载流子由高浓度区域向低浓度的区域扩散，形成扩散电流。 漂移和扩散 PN结形成 3.2.5 PN结的电容效应 1 整流电路： 图2-5整流： 利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。 ▼图2-6为典型的单相半波整流电路。分析如下： （1）当vi(t)﹥0→ 二极管正偏 （2）当vi(t) ﹤0 → 二极管反偏 3 钳位电路： 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图2-8。 设vi(t) 是±2.5V 的方波信号2-9（b） 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 2.4.2二极管V- I 特性的建模 3.5.2 变容二极管： 利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管→变容二极管，简称变容管。图2-13为变容管电路符号。 图2-14为变容管压控特性曲线。 3.5.3肖特基二极管（SBD） 电容效应很小 正向导通门坎电压和正向电压比PN结二极管低。 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下。很容易脱离共价键而成为自由电子。因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比。用感光灵敏度来衡量。典型值为：0.1μA/Lx 1、材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、发光二极管的主要特性 例：（东南大学1998年研究生入学试题）如右 图所示为一稳压电路，已知稳压管的?zmax=20mA, ?zmin= 5mA,rz =10?, Vz =6V, 负载电阻的最大 值RLMAX=10K?。 （1）确定R; （2）确定最小允许的RL值; （3）若RL=1k?,当V?增加1V 时，求?V0值。 解: 运用稳压管反向击穿特性，若负载电阻 增大，则V0增大，通过调整 ?z大小使V0稳定在 一定的范围内。等效电路如图所示。 (1)当RL=RLmax时，?z=?zmax 根据电路基本定理，有 将 R = 184.3? 和 ?zmin= 5mA代入， 可解得 ?0 =16.4mA。 所以最小允许的RL的值为： (2) 当RL最小时， 例：(湖南大学1997年研究生入学试题)如 图为两个参数相同的锗二极管在室温时,反向 饱和电流为5?A，VT = kT/g =26mv ,反向击 穿电压为 9.8V, 求电路中的电流 ? 和各管所 消耗的功率。 PD1 = ?VD1 = 11?0.2 = 2.2mW PD2 = ?VD2 = 11?9.8 = 107.8mW 解：D2反向击穿电压为9.8V, D1正向压降为:10-9.8=0.2V 本章小结： 折线模型 为了较真实地描述二极管V-I特性，在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下 4. 小信号模型 Q点称为静态工作点 4. 小信号模型 二极管工作在其V-I特性的很小范围内。如在静态工作点附近，其V-I特性看作为一条直线。 二极管小信号模型如图XX_01所示。如果二极管在它的V-I特性的某一小范围工作，例如在静态工作点Q（即V-I特性上的一个点，此时vD=VD，iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd。 参看图，微变电阻rd可直接从V-I特性上求得。通过Q点作一条V-I特性的切线，并形成一直角三角形，从而得到ΔvD和Δ iD，则 rd= Δ vD/ Δ iD rd的数值还可从二极管的V-I特性表达式导出。 取iD对vD的微分，可得微变电导 (当T=300K时) 由此可得 2.4.2模型分析法应用举例 1.二极管电路的静态工作情况分析 例1 设简单二极管基本电路如a所示，R=10kW，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 解：图a的电路