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从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 模型的应用范围 定性：理想开关模型 定量： 近似：恒压源模型 精确：折线模型（考虑二极管内阻） 含有非线性元件的电路参数计算方法 1 电路中的线性元器件一定满足其自身的电压，电流约束条件； 2 电路中的非线性元器件，其端口特性一定受其他线性元器件的参数约束； 3 对于非线性元器件不好确定的参数，可以通过其外部的线性元器件求解； 4 农村包围城市！ 作业： P67 自测题三，四 P69，1.3 * * * (1-*) 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 1.2.2.3 半导体二极管 (1-*) 二、伏安特性(★★★★★**) 反向击穿电压 反向饱和电流 导通电压 开启电压 (mA) (μA) 导通压降: 硅管0.7V,锗管0.3V。 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 常温下，UT≈26mV (1-*) 三、主要参数 ★★★* 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UR的一半。 (1-*) 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍三个交流参数。 (1-*) 4. 微变电阻 rd ★★★★* iD uD ID UD Q ?iD ?uD rd 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： (1-*) 5. 二极管的极间电容 ★★*** 势垒电容Cb：因耗尽层宽窄变化所等效的电容 Cb的大小与结面积、耗尽层宽、介电常数、外加电压有关。PN结加反向电压时，Cb变化明显，利用此特性可制成变容二极管。 (1-*) 扩散电容Cd：因非平衡少子数量变化所等效的 电容 平衡少子： PN结处于平衡状态时的少子。 非平衡少子： PN结正偏时，多子扩散至对方区域成为非平衡少子。 Cd的大小与PN结的正向电流、UT、非平衡少子的寿命有关。 Cb在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容Cd可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd (1-*) 6.最高工作频率fM ★* 最高工作频率：是二极管工作的上限频率， 超过此值时，由于二极管的结电容作用， 二极管不具有单向导电性。 (1-*) 1.2.2.4 二极管等效电路(★★★★*) 由伏安特性折线化得到的等效电路 因二极管伏安特性具有非线性，故为便于分析，常在一定条件下，用线性元件所构成的电路来近似。 理想开关模型 恒压源模型 折线近似模型 (1-*) 二极管的应用举例： t t t ui uR uo uo R RL ui uR 二极管理想模型 (1-*) 例：三版1.6(书p66) ，四版1.4 p69 500Ω 2V D ui iD rD 500Ω + 二极管折线模型 (1-*) 1.3.1 稳压二极管 ★★★★ U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 §1.3 特殊二极管 (1-*) 齐纳击穿与雪崩击穿： ★★★★ 齐纳击穿：掺杂浓度很高（例如ND=NA=1018/cm3）的PN结 很薄，例如宽度只有0.04μm，只要对PN结加上 不大的反向电压，就可以产生很强的电场，例如 反压4V，场强可达106V/cm。强电场可将耗尽区 内原子共价键中的电子拉出，自由电子和空穴成 对产生，反向电流剧增（少子）。