第二章半导体基础.pptVIP

1.2 半导体二极管 【例1－2】 电路如图所示，二极管导通电压UD～0.7V，分别计算开关断开和关闭时输出电压的数值 解：利用压降模型分析电路 开关断开时，输出电压为 U0=V1-UD=6-0.7=5.3V 开关闭合后，二极管外加反向电压截止，故 输出电压为 V2＝12V * 例：一二极管开关电路如图所示。当V?1和V?2 为0V或5V时，求V?1和V?2的值不同组合情况下， 输出电压?0的值。设二极管是理想的。 D 1 D 2 V I1 V I2 4.7K V CC 5V D 1 D 2 4.7K 15V V CC V I1 + - V I2 + - 1.2 半导体二极管 * 1.2 半导体二极管 解：(1)当V?1=0V, V?2=5V时,D1为正向偏置，V0=0V,此时 D2的阴极电位为5V，阳极为0V，处于反向偏置，故D2截止。 (2)以此类推，将V?1和V?2 的其余三种组合 输出电压列于下表： V?1 V?2 D1 D2 V0 0V 0V 导通 导通 0V 0V 5V 导通 截止 0V 5V 0V 截止 导通 0V 5V 5V 截止 截止 5V * 1.2 半导体二极管 由上表可见，在输入电压V?1和V?2中，只要有一个为0V，则输出为 0V;只有当两输入电压均为5V时，输出才为5V，这种关系在数字电路中称为“与”逻辑。 ?注意：即判断电路中的二极管处于导 通状态还是截止状态，可以先假设二极管断开， 然后观察阴、阳两极间是正向电压还是反向电压，若是前者则二极管导通，否则二极管截止。 * 1.2.3 二极管的参数 最大整流电流 ： 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最高反向工作电压 ： 二极管工作时允许外加的最大反向电压。 反向电流 ： 二极管未击穿时的反向电流。 最高工作频率 ： 二极管工作时的上限频率。 1.2 半导体二极管 * 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。 1.稳压管的伏安特性 1.3 稳压二极管 * 1.3 稳压二极管 2.稳压管的主要参数 1).稳定电压 Uz 2).稳定电流 Iz 3）.额定功耗 PZM 4）.动态电阻rz 5）.温度系数α * 1.3 稳压二极管 例： 如图所示是一个简单的并联稳压电路。 R为限流电阻，求 R 上的电压值VR和电流值?。 * 1.3 稳压二极管 解：假定输入电压在（7--10V）内变化。 * 第一、二章作业 第一章 1.1、1.2、 第二章 3.4 3.5 3.6 3.7 3.10 3.12 3.13 * * * 第二章 半导体的基础知识 一、半导体基本概念 1、半导体结构和特性（识记） 2、N型和P型半导体 （识记） 3、PN结的形成与特性（识记、理解） * 1.1 半导体基础知识 原子 原子核 核外电子 质子 中子 1个电子带 1个单位负电荷 1个质子带 1个单位正电荷 不显电性 原子结构 导电体 绝缘体 半导体 * 1.1 半导体基础知识 1.1.0 锗Ge和Si的原子结构 根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 简化 * 1.1 半导体基础知识 1.本征半导体的结构 1.1.1 本征半导体及杂质半导体 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 本征半导体特征： （A）纯净的、不含其他杂质的半导体 （B）具有完美晶体结构，不含缺陷的结构。 本征半导体的共价键结构 共价键 T=0K 无自由电子 束缚价电子 本征半导体的特性： 部分价电子 自由电子 光热作用 摆脱共价键{ 获得足够能量 空位—称空穴 本征激发 * 2. 电子空穴对-载流子 1.1.1 本征半导体及杂质半导体 1.1 半导体基础知识 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电场作用 空穴 填补空穴的价 空穴电流 电子作定向运动 电场作用 自由电子 定向运动 电子电流 载流子 { 复合：运动中的电子重新被共价键束缚起来，电子空穴对消