大信号法产生低噪声HF-UHF振荡器.docVIP

大信号法产生低噪声VHF/UHF振荡器 上月，本文的上半部分介绍了采用大信号法设计振荡器。这最后一部分将提供一些VHF/UHF设计实例，包括了上月在第1部分中首先介绍的144MHz振荡器。 144MHz振荡器的元件值（C1、C2、C3、C4和L）可以由以下方式计算出。首先，电容C1和C2的值可以由以下方法得出。按照公式32，选择电容C1的值满足适当的负载（见框1中的方程）。 如果使用比值C1/C2=4，那么电容C2的值约为11pF。 电容C3和C4的值可以针对最佳的相位噪声和输出功率再次进行选择，其满足： 并且，电容性变压器的抽头匝数比m（C3/C4）应大于10；所以，阻抗变换应大于100。因此，对22pF的C3值，C4的值是220pF。另一个需要是使用多达10个并联电容或一个极低寄生的电容，该电容要工作在1GHz以上。 4.电感L的值可以通过公式34来计算（见框1中的方程）。对f0=144MHz，电感L3的值可以从公式35得到（见框1中的方程）。 144MHz振荡器的L/C比可以由以下方式计算得到。对于给定的导向角和驱动水平，整个谐振器电路储存的能量依赖于特性阻抗，并可以从公式36算得（见框1方程）。 对于最佳相位噪声和输出功率，Z应大于3。例如，最佳方法的L/C比为 与小信号分析同样的测试电路，现在可以与应用新的大信号元件值一起使用。参考文献9表示了Colpitts振荡器的相位噪声计算。计算也可以用于获得144MHz振荡电路的相位噪声。使用Ansoft Designer公司设计的Nexxim HB仿真器，仿真得到的相位噪声与实测数据几乎一致。 按照参考文献9，单独的相位噪声贡献可以由公式38（见框1中的方程）以及公式39-42（见方框2中的方程）来解释。所有四个噪声源的总影响可表示为公式43中的函数（见框3中的方程）。 其中,Kf=闪烁噪声常数，AF=闪烁噪声指数. 应该指出的是，振荡器的Q的负载的影响可以通过噪声传输函数乘以4个噪声源的总和来计算。 144MHz振荡器的下一步是计算相位噪声的贡献，在振荡器载波频率（f0）144MHz的10kHz频偏处，从并联调谐Colpitts振荡器电路的不同噪声源来进行计算。这是通过考虑电路参数来实现的。例如，基极电阻（晶体管的rb是6.14欧姆），而谐振器的并联损耗电阻（Rp是7056欧姆）。谐振器的Q值（144MHz处的电感Q值）为200，谐振器的电感是39nH，而谐振器的电容是22pF。晶体管集电极电流（IC）为10mA，而晶体管基极电流（IB）为85μA。器件闪烁噪声成分（AF）为2，而闪烁噪声常数（Kf）为1×10-7。反馈因子（n）为5。在10kHz频偏处，四个噪音源的相位噪声可以由公式45、46、47和48得到（见方框4中的方程）。 四个噪声源之和可表示为如公式49中的关系表达式（如方框5中所示）。 应该指出的是，来自谐振器的噪声贡献是限制因素。低Q情况下，这可以被认为是闪烁角频率。当估算更接近的相内噪声时，在100kHz频偏处，有如下公式50及51条所表示的关系 似乎来自晶体管的集电极电流、基极电阻噪声、闪烁噪声和来自谐振器的噪声是整个振荡器相位噪声的限制因素。 图8和图9表示了Ic=10mA使用时域参数的144MHz振荡器的电路图和版图。图8中的振荡电路采用了39nH的集总电感，并且工作频率下的无载品质因数Q为200。版图极其关键，即使在这一频率。在图8的版图中表示了器件组装，其中引线电感始终保持很小。标准的现成电感被用于振荡器中。 图10、11和2表示了CAE仿真相位噪声图，实测相位噪声图，以及使用大信号法的144MHz振荡器仿真输出功率。仿真和验证输出功率为11.55dBm（6dB改善了线性状况），并在从载波频率的10kHz频偏处，相位噪声为-135dBc/Hz，小信号、线性法将相位噪声从-122dBc/Hz提高了13dB。 {PAGINATION} 通过采用早期使用的相位噪声计算法，大信号144MHz振荡器的噪声水平在载波频率10kHz频偏处为-134dBc/Hz，而在载波频率100kHz频偏处为-94dBc/Hz。计算、仿真和实测结果在1dB内全部一致。设计师无法获得具有适当振荡器噪声计算能力的昂贵CAE工具，这一具有计算其相位噪声能力的方法可能非常有用并具有性价比。 如果目前同样的晶体管是工作在30mA下，载波10kHz频偏处的相位噪声将进一步提高到-144dBc/Hz，并在144MHz下振荡器的输出功率增加到20dBm。这表明，选择高输出晶体管可以有助于实现低相位噪声振荡器设计。同时，考虑器件的DC功耗也很重要，这是由于在这一方法中CAE软件工具不会标记出器件的误用。 第二，例如，高频433MHz的振荡器可能有助于