Na20-B2O3-ZnO三元系的晶体结构与助熔剂的研究.pdfVIP

Na20-B203-ZnO三元系的晶体结构与助熔剂的研究 陈业青，梁敬魁，古元新，骆军，李静波，饶光辉 中国科学院物理研究所，北京，100190 摘要：粉末从头算法解析了NazZnB。0。，的晶体结构，它属于单斜晶系，空间群为Cc，点阵常数 与ZnO的赝二元系相图，结果表明NazZnBsO。。不是ZnO晶体生长理想的助熔剂。 前言：作为第三代半导体材料的ZnO具有热导率高、高温、抗辐射性能好等优异的物理化学 性质，使其在紫外激光器、发光器件、光电导、光传导、透明导电薄膜、气敏传感等领域具有广 泛的应用前景，是光电子器件重要的材料。特别是它可制作高效的蓝光或紫外光的发光二极管 (LED)、激光二极管(LD)、紫外探测器等。ZnO薄膜在光电子装置中具有重要的应用，点缺陷 和位错浓度低的优质薄膜直接决定了半导体器件的应用，ZnO单晶是其薄膜生长理想的零外延生 长材料。因而，优质ZnO单晶的获得就成为一个亟待解决的问题。ZnO虽是l嗣液同成分熔化，但 它的熔点为1975。C，且在高温易挥发，难以用提拉法从熔体中生长优质的晶体。高压熔体法生 长，设备复杂，技术难度较大，因此降低生长温度的溶剂法(包括水热法、助熔剂法等)，则是 生长ZnO单晶体可行的方法。目前，ZnO单晶的生长方法主要有气相输运法、水热法及助熔剂法。 气相输运法晶体生长难以控制，水热法晶体生长周期长、无法原位适时观察、危险性高。助熔剂 法可以避免上述两种方法的缺点，并且具有常压下可以观察、可控生长的优点，有可能得到优质 的ZnO单晶。若能找到一种合适的助熔剂：该助熔剂与ZnO形成共晶体系，共晶温度在1000℃ 以下，并且ZnO与该助熔剂固相不互溶、而液相有较大的溶解度，则可能得到ZnO单晶。目前国 内外有关助熔剂法生长ZnO单晶的研究较少，一方面原因是有用的相平衡资料太少。根据文献调 研，与ZnO相关的赝二元系相图中，只有PbF：用作助熔剂生长ZnO单晶时，晶体质量比较好， 但是由于PbFz毒性很大，需要探索新的助熔剂。 从头算法应用粉末衍射数据，结合单晶结构分析方法测定它的晶体结构．并构筑了其与ZnO的赝 二元相图，以探索其是否适合作为ZnO荦晶体生长的助熔剂． 实验部分：用分析纯的Na。c03，ZnO，H。B侠原料通过固相反应来制备．对化合物在室温下采用 11．4822(2)A，和夕=112．16(2)。．据系统消光规律(触』j 30 OkO：k=-2n+1)可能的间群为艮或C2／c．根据单胞体积及估计密度知，每单胞中分子数为4．为了 得到B原子的配位情况我们对其进行了红外光谱的测量，结果表明存在[B0。r和[B0。]5’．采用XRD 和热分析(DTA)方法构筑了该化合物与ZnO的赝二元相图． 结果与讨论：在可能的空间群沈的基础上，对整个化合物的衍射图谱用FullProf程序及Le 提取了624个结构因子．在提取的结构因子的基础上，用SHELXL97程序包中的直接法，可以得到电 子云密度图．根据原子间距，密度图中6个峰可能相应与正确的原子位置，其中包括1个Zn，2个 Na，3个0．其它原子的位置根据差值傅立叶合成得到，在该过程中一旦原子的位置被确定，它将用 于下一轮的差值傅立叶合成．由于B原子的散射因子比较小，我们用差值傅立叶合成没能得到全 的键长和键角，利用参数方程我们得到了合理的剩余的B原子位置．最后我们对其初结构进行 Rietveld法修正．结果收敛至肛12．26％，肺=15．02％尼坤=5．75％． 周围分别有8个和5个O． 含量为18—25m01．％的区域内，熔体冷却时可以得到Zn0晶体，但由于该区域范围太窄，所以我 们仍认为Na2ZnBe0--不是ZnO单晶体生长理想的助熔剂。 3l