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☆光电子材料导论论文☆ 纳米光电子材料的特性及应用 摘要 小尺寸的纳米材料的表面效应和量子尺寸效应对纳米微粒的光学特性产生很大的影响，使得纳米微粒具有同样材质的非纳米块体物体所不具备的新的光学特性，利用纳米材料的这些光学特性制成的各种光学材料与器件在日常生活和高科技领域有着广泛的应用。 关键字 纳米材料 光电子 纳米微粒 表面效应 量子限域效应 引言 纳米科技是指在纳米尺度(1～100纳米)上研究物质的特性和相互作用，以及利用这些特性的多学科交的科学和技术。这一技术使人类认识和改造物质世界的能力延伸到了原子和分子水平，是当今最重要的新兴科学技术之一，已经引起了科学界和产业界的极大关注。1991年1月，日本首次用高分辨分析电镜观察到碳纳米管2001年日本NTT公司尖端技术综合研究所，开发成功了制作光导集成电路芯片的基础技术。美国加大学伯克利分校的研究人员研制出世界上最细的激光束，即纳米激光。2003年美国哈佛大学成功开发出一种新型纳米激光器，可自动调控开关。年5月，美国IBM研究中心在《》上发表了其最新研究成果：在纳米管的相关实验中探测到了光，使碳纳米管发光的理想将变为现实。我国在纳米电子技术研究的基础上开展了纳米光电子技术研究。我国纳米科技的大部分研究工作集中在硬件条件要求不太高的基础研究领域，涉及纳米主流技术高、精、尖的研究内容不多，特别是一些具有重要应用前景的技术研究比较薄弱，在纳米材料、纳米结构设计、制造和控制以及实用化方面与国际先进水平差距较大。SiC及Al2O3粉等。这是由于纳米粒子所具有的大的比表面导致了平均配位数下降，不饱和键和悬挂键增多。与常规大块材料不同，纳米粒子没有单一的、择优的键振动模，只存在一个较宽的键振动模分布，因此在红外光场作用下它们对红外吸收的频率也就存在一个较宽的分布，这就导致纳米粒子红外吸收带的展宽。许多纳米微粒对紫外光有强烈的吸收作用，例如ZnO、Fe2O3、和TiO2等。这些纳米氧化物对紫外光的吸收的主要原因是它们在紫外光照射下，吸收紫外光引起价带电粒子被激发，并向导带跃迁。 光谱线的移动 随着粒子尺寸的减少，半导体粒子的有效带隙增加，其相应的吸收光谱和荧光光谱发生蓝移，从而在能带中形成一系列分立的能级。纳米半导体粒子的吸收的吸收带隙E(r)的可用以下公式来描述： ， 式中，r为纳米粒子的半径；E(r)是r的函数，为相应半导体材料的能隙。与体材料相比，纳米微粒的吸收带普遍存在向短波方向移动，即蓝移现象。纳米微粒吸收带的蓝移可以用量子限域效应和大的比表面来解释。由于纳米颗粒尺寸下降，能隙变宽，这就导致光吸收带移向短波方向。已被电子占据能级与未被占据的能隙宽度随颗粒直径减小而增大，所以量子限域效应是产生纳米材料谱线蓝移和红外吸收带宽化现象的根本原因。 在有些情况下，材料尺寸减小至纳米级时可以观察到光吸收带相对粗晶材料呈现“红移”现象，即吸收带移向长波方向。从谱线的能级跃迁来看，谱线的红移是能隙减小，带隙、能级间距变窄，从而导致电子由低能级向高能级及半导体电子由价带到导带跃迁引起的光吸收带和吸收边发生红移。 量子限域效应 当半导体纳米微粒的粒径rαB（αB为激子波尔半径）时，电子的平均自由程受到小粒径的限制，局限在很小的范围，很容易与空穴形成激子，引起电子和空穴波函数的重叠，进而很容易产生激子吸收带。随着粒径的减小，重叠因子增加。对半径为r的球形微晶，忽略表面效应，则激子的振子强度 ， 式中，m为电子质量，?E为跃迁能量，μ为跃迁偶极矩。当rαB时，电子和空穴波函数|U(0)|2将随粒径减小而增加，近似于(αB/r)3。由于单位体积内微晶的振子强度f微晶/V|U(0)|2越大，f微晶/V 纳米微粒的发光 当纳米微粒的尺寸小到一定程度时可被某一波长的光激发而产生发光现象。图为室温下紫外光激发引起的纳米硅的发光谱。可以看出，随着粒径的减小，发射带强度增强并移向短波方向，当粒径大于一定值时，这种光发射现象消失。据此推测，硅纳米微粒的发光是载流子的量子限域效应引起的。而大尺寸的硅不发光是由于它的结构存在平移对称性，由平移对称性产生的选择定则使得其不可能发光，当硅的粒径小到某一程度时，平移对称性消失，就会出现发光现象。 纳米材料的非线性光学效应 由于纳米颗粒具有很大的比表面，导致其表面原子的平均配位数下降，不饱和键和悬挂键增多，硅纳米微粒不再具有典型的共价键特征，界面键结构将出现部分极化，尤其是硅微粒的介电常数与镶嵌介质的介电常数相差较大时，界面键结构极化的强度更高，表现出极强的表面活性。纳米微粒只包含有限数目的晶胞，不再具有周期性的边界条件，硅材料的晶格结构对称性在纳米相时将受到严重破坏。另外，硅纳米微粒受到介质势垒的三维强限域作用，纳米范围内的电子、空穴犹如处于“无限深势