薄膜晶体失配位错形成的动力学条件.pdfVIP

摘要 外延薄膜晶体失配位错形成的动力学条件 摘要 薄膜晶体缺陷主要形成于原子沉积生长过程中，已有实验分析手段的空间 和时间分辨能力都无法达到对原子尺度微观过程的研究，而基于分子动力学的 计算机模拟为薄膜生长与缺陷形成研究提供了一个十分有效的手段。本文以 ln外延生长面心立方金属铝为对象，采用三维分子动力学方法对薄膜中失配 位错形成的原子机理与控制方法进行了原子模拟研究，原子间相互作用力采用 EAM多体势函数来计算。本文主要内容有:外延生长薄膜的分子动力学模型、 模拟方法及其原子弛豫过程和应用;温度对外延生长薄膜中失配位错形成的影 响;表面增原子对外延薄膜失配位错形成的诱发作用:以及外延薄膜晶体中失 配位错与失配性质的关系。研究认为: ()1失配位错的形成在同一失配度大小和相同的温度时，正失配下的薄膜 比负失配下的更难以形成失配位错: 2()在同一失配度下，失配位错形成所需时间与生长的温度有关，温度越 高，位错的形成越容易: (3)当生长温度接近或高于铝的熔点时，负失配下的薄膜比正失配下的更 难熔化。 (4)较高的温度会促进