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企业级ESD解决方案 主讲人：赵阳 主讲人：赵阳 苏州泰思特电子科技有限公司 苏州泰思特电子科技有限公司 南京研发中心 南京研发中心 info@3ctest.cn info@3ctest.cn 目录 第一章 静电分析概述 第二章 静电分析原理解析 第三章 静电测试方法与仪器 第四章 传导性ESD 问题描述与解决方案 第五章 辐射性ESD 问题描述与解决方案 第一章静电分析概述 1.1 静电生成机理 自然界中的物质，可经由某种过程而获得或失去电子(例如摩擦或 感应起电) ，这类的电荷即称为静电。当这些正电荷或是负电荷逐渐累 积时，会与周围环境产生电位差，电荷若是经由放电路径而产生在不 同电位之间移转现象，即称此为静电放电现象，简称为ESD (Electro Static Discharge)。例如某绝缘的导体（螺丝起子）带有足够高电荷, 当 它靠近有相反电势的集成电路（IC ，Integrated Circuit ）时，电荷“跨 接” ，引起静电放电。 静电放电产生的三个条件： 电荷的积累，静电荷积累在绝缘体上； 静电荷通过接触或感应转移到导体上； 充满静电的导体接近一个金属器件，产生放电。 1.2 静电危害对象 精密芯片：芯片越来越集成、微小，抗击电压也越来越小，极易受到 静电电流影响。 MOS器件：MOS器件每条路径都有自己的放电特性，电位差超过路径 间的绝缘物的介电强度，会发生介质击穿，从而损坏电路。 PCB板：ESD 电流会直接通过电路板烧毁PCB上对ESD敏感的电路元 件。 地线：ESD 电流经过地线，若接地材质不良会产生高阻抗，形成高干 扰电压，会是接地线路对正常工作电路造成干扰。 对ESD敏感的器件还有有微电子器件，分立半导体器件，电阻器基 片，压电晶体以及薄膜电路等。 1.3 静电分析 ESD是一种高能量、宽频谱的电磁干扰，干扰途径主要有两种： 传导性ESD：主要是瞬间接触的大电流造成产品内部电路的误动作或 损坏。 辐射性ESD ：空间电磁场耦合，其上升时间短，约为0.7~1ns ，频谱高 达数百MHz ，静电放电电流会激烈一定频谱宽度的脉冲能量在空间， 产生的电磁场通过寄身电感或电容耦合进敏感电路。 第二章静电分析原理解析 2.1 传导性ESD分析原理 对静电电流在电路中防护主要使用一些保护器件，在敏感器件前 端构成保护电路，引导或耗散电流。此类保护器件有：陶瓷电容，压 敏电阻，TVS管等，下图给出一个保护电路图。 RS232接口EMC设计标准电路 2.2 辐射性ESD分析原理 对于静电产生的场对敏感电路产生影响，防护方法主要是尽量减 少场的产生和能量，通过结构的改善增加防护能力，对敏感线路实施 保护。 对场的保护通常比较困难，在改良实践中探索出了一种叫做等位 体的方法。通过有效地架接，是壳体形成电位相同体，抑制放电。事 实证明此种方式有效易于实施。 2.3 非接地、非导体外壳ESD