电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响.pdfVIP

36 6 Vol. 36, No. 6 2006 6 LASER INFRARED June, 2006 : 1001-5078( 2006) 06-0 91-0 GaN 艾伟伟, 郭 霞, 刘 斌, 董立闽, 刘 莹, 宋颖娉, 沈光地 (, , 100022) : 文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基 光二极管( LEDs) 中, 由于横向电阻的存在造 成了靠近 n型电极台面边缘局部区域电流拥挤, 为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥 挤效应对器件可靠性的影响, 加速寿命实验结果表明: 电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善 : GaN; 光二极管; 可靠性; 电流拥挤 : TN383. + 1 : A E ffect of Current C rowding on the R el