高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术.pdfVIP

维普资讯 电子 工 艺 技 术 第 23卷第 1期 24 E1ec 日I0ce Teehnolc~ 2002年 1月 、 暮鞠 、 高速低压低功耗 BiCMOS逻辑电路及工艺技术 成 立 ，李彦旭 ，董素玲 ，汪 洋 (1．江苏大学电气信．学院，江苏 镇江 212013；2徐州建筑职业技术学院．江苏 徐州 221008) 摘 要 ：介绍 j几种高开关速度、低 电源 电压等缎、低功耗的BiCIv[~逻辑 门电路，并分析j它 们的工作原理及其5-艺技术情况。结果表明，这些电路的电源电压可达到20V以下，而且信号传 输延迟较一j、，有的还实现 了全摆幅输 出，因而它们可用于便携式电子设备和其它 ＼q~SI和 UkSI新品 等场合。 关键词 ：双极互补金属氧化物半导体；低电压 ；低功耗 ；全摆幅输 出；超大规模集成电路 ；持大规 模集成电路 中囝分类号：TN4 文献标识码：A 文章编号：i~)01—3474[2002)01 024 04 Development ApplicationofSeveralHigh—Speed Low —Voltage andLow ——PowerBiCM OSDigitalCircuits CHENG Li，LIYah—xⅡ，DONG Su—un ，WANG Yang1 (1．JiaagsuUoiversi~，Zher．J．Jang 212013，chi】； 2．XuzhouInstituteofArchitecturalTechnology，Xuzhou 221008，China) Abstract：s圯m 【hi曲一speed，l。Ⅳ～supplyvoltageandlow p0werBi(~OSic~iccircuitsarepree~at- ed，andtheirpNnci~eandtechniquearealsoanalyzednere~ttsithattliesupplyvoltageoftheseckrculmis downtosub～2．0V，thede1ay6Im ismducedandeven廿1efull swingompm isachieredinafew circuits ． 出 thef酷 I‘ltthattheyCna beusedinhand heldtwitsandVLSI＆ ULSIproflucts keywords：BiC 106；Low—sUpplYvoltage；Low p。聃 e~mstrnption；FuR—swingoutput；VLSI；ULSI DocumentCode：A ArticleID：i001 3474(2002)O1—024—04 cMO6电路功耗极低，工艺简单，集成度高，它 杂．制造成本较高，使研制工作有所起伏，但开发高 已在VLSI电路中占据了主导地位。但硅锗双极型 速通信设备产品、高速VLSI和ULSI新品等还离不 (SiteBipoI)电路具有的优点是 c ]s电路所难以 开BiCIvl~ 电路。例如高速静态 RAM，它以 ㈣ s 替代的，例如它有较大的电流驱动能力，而且与其它 双稳态触发器为记忆单元，其输出级就是 Bi(~DS 类型电路 易于匹配。若在 同一块芯片上 同时集成 电路。它与ECL和m s电路