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技术毒社
n■哪嘲咖■■
反应离子刻蚀加工工艺技术的研究
来五星，廖广兰，史铁林，杨叔子
(华中科技大学机械学院机电系，武汉430074)
um，无
摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低，只能进行各向异性刻蚀，刻蚀特征尺寸小于3
危险化学试剂，但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理，探讨了聚酰
亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方，研究了RIE草地现象形成机理，给出
了避免草地现象的工艺措施。
关键词：微机电系统；工艺：反应离子刻蚀
中图分类号：TN305．7文献标识码：A
ofReactionIon ProcessingTechnique
Study Etching
LAI SHITie-lin，YANGShu—zi
Wu—xing，LIAOGuang—lan，
MSE sci．＆Tech，wuhnn
(Schootof ofHunzhongUniv．of 4300’4，ChtHn)
ion itis usedfor
Abstract：Theselectiveofreaction
etching(RIE)is10wer，soonly anisotropic
feature1inewidthisbelow3 hasno chemical
um，the reagent，but
etching．The processingdangerous
has andriskof basic of of
RIE，and
dangerousgas plasmapower．Theprinciple processingrecipes
silicon and were RIE was
nitride，silicondioxide，aluminumpolysilicondiscussed，thegrassstudied，
andthe methodhowtOeliminatethe was
processing grassgiVen．
Keywords：MEMS；processing；RIE
等离子体加工工艺进行研究，主要包括刻蚀基本原
1 引言 理、工艺处方和草地现象处理。
工艺技术是设计思想的保证…，许多工艺问
题，如薄膜应力、平面化、选择性湿法和干法腐 2反应离子刻蚀原理
蚀，掌握它们在光刻和薄膜生长方面的这些技术， 常见的RIE系统如图1所示，硅片直接放在功
对MEMS器件设计和工艺工程师而言是非常重要的 率电极上，腔壁上赋有中性电极以增大有效面积，
【卜引。刻蚀技术是从基片表面去除不需要的材料， 这样设置的作用是增大从等离子体到功率电极的
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