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2009年9月 第十六届}周混☆集成电路学术会Ⅸ沦史集 成口
基于MCM互连技术的LTCC基板研究
龙博，钱可伟，唐伟
电f科技大学电f科f按$ⅡRR，成Ⅻ610054
摘要：乖文介绍r一种丝于MCM(多芯片组件)互连技术的新型LTCC摹板结构，
任日前的J芝条件下宴现了更高的摹板、r帮应和电磁兼容(EMC)慊护。我们将其鹿卅丁
州控酣雷达TR鲴件的设计之中，经测试指标选列矬lr抓准，
关键词：低韫共烧陶瓷技术{多芯片组件技术：TR组件；互连结构
ResearchOil
LTCCSubstrateBasdedon
MCMInterconnection
Technology
LONG Wei
Bo，QIANKe—wei，TANG
Researchinstitutenfelectronicscienceand of du
610054
technologyUESTC．Cheng
Abstract：AflcwstⅢctureofLTCCsubstratefor module
Multiehip technology—
introducedinthis which bettersubstrateflatnessandEMC under
paper provides protection
ATranceivermodulewas thencw
pmviousm{lrIufaduring sttllclutg，and
process designedusing
theresult
showsthat㈣t bthedesl…ne_fiuallnnH
LTCC：MCM；TRmodule；Intercclnnection
Keywordsl
流脯
l引言
2基板结构
多芯片组件灶在高鲁度多层且琏葚扳
h采用微焊接、坷鼗『I岂将构成电子电路 传统LTCCTR组什摹板设计土婪采取
的符种微型元器件(IC裸芯片厦片式元器 以下结构
件)纽装起来．形成高密度、高性能、高可
靠性的微电了产品(包括组件、部件、于系
统、系统)。基于其在布线崖数、布线崭度、
封装效率平口电性能方Jh】的巨人优势，低温菇
烧陶瓷(LTCC)技术魁实现MCM的土流
技术之。
TR组件是相控阵雷达的核心部件，现
代雷选技术的发脞对其杠体积、电性能及町
幽I传‰LTCCTR-#ItIg《#构
靠性疗面提“：了较高的耍求。TR组件通常
采用多MMIC芯片级连的矗式以实现其电 如图所示，采用此种结构的基板有如下
性能，采埘LTCC技术制作TR组件基板因
特点：1)射频信号利爿j能于LTCC基板表
其在体积上的巨人优势．成为当今研究的主 面的微带线进行传输．通过金丝与MMIC
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