同步整流BUCK变换器新型驱动电路地研究.pdfVIP

同步整流BUCK变换器新型驱动电路的研究 同步整流BUCK变换器新型驱动电路的研究 束林，陈宗祥，葛芦生，惠琪 安徽工业大学电力电子与电力传动重点实验室，马鞍山243000 63．com E-mail：shu63205@1 摘要高频化和高功率密度已经成为开关电源的发展趋势，传统的电压源驱动MOSFET的方式，开关损耗会随着开关频率的增加面显著 增加。本文提出将一种新型的电流源驱动方式应用于交错并联技术的BUCK主电路，在对电路的损耗进行详细分析的基础上，本文设计了在 开关频率l姗z、输入12V条件下，实现输出电压I．3V、输出电流20A的电路拓扑，达到了较小的电流纹波输出和较高装置效率的要求。 关键词电流源开关损耗交错并联 1．引言 高功率密度和降低输出电流纹波逐渐成为电压整流模块(VRM)的关键技术指标。高频化和多相并联技术在VRM中被广泛应用。 功率MOSFET管因快速性较好，驱动功率小，成本低，易适用于中小功率的场合而得到广泛的应用“¨“。目前大多数采用电压源驱 动MOSFET，此种方式优点是驱动方式简单，但缺点是开关时间长，开关损耗大b1，是开关电源高频化的一大障碍。本文提出采用新 与电流源相匹配的逻辑功能，同时为了减少输出电流的纹波，主电路采JI}j交错并联技术，实现了低压大电流的输出。 2．MOSFET的电流源驱动 2．1MOSFET电流源驱动基本原理 开关管Q门板电容充电过程中，充电电流j、G。两端 电压变化如图1所示，在0时刻，达到峰值么／也，随后 快速下降，在^一如时刻由于发生miller效应，K不变， 这段时间电流，可近似看成常数不变。这段时间导致 miller电容效应明显，随着，的减小，驱动能力减弱，导 0‘f2 致开关时间长，开关损耗大埔’。 图l门极充电电压电流变化图 图2电流源与电压源比较图 为减少miller电容效应，本文采用一种电流源驱动的方 法，即在驱动电路中通过特定的驱动方式，在MOSFET开启和关断时，产生一个近似恒流的电源给其供电，根据公式： 1 ‰=去(k+锄)‰‰五 (1) 二 断时间，使开关电源在高频下工作时的开关损耗比传统驱动大大降低。电流源驱动电路(如图3)所示由两个开关管S、疋。以及 管)的 电容cl、电感‘、供电电源K组成。通过控制S、是的开关时序，得到一个近似恒流的电源，从而控制主电路MOSFET( 开通和关断。控制方式如图4所示： 墨 五 S 墨 ／ ＼ 八 ／ ＼、 ／ ＼ 厶』 8 t 图3 电流源驱动基本原理图 图4驱动电路相关控制波形 图5MOSFET等效电路 通过分析可以得知，在f2一‘为Q管开通时问，在fo一‘为Q管关断时间。在这两个时间段内，驱动电路为一个近似恒流的 电源，使得Q管能在更短的时问内开通和关断，使得miller效应得以减少，达到减少开关损耗的目的。 2．2 MOSFET损耗模型及损耗分析 国家自然科学基会项目(咨助号 ·152· 第十八届全国电