掺杂纳米级Bi2O3对ZnO压敏陶瓷性能的影响.pdfVIP

2009年第 2期 (总第 228期) 电 瓷 避 雷 器 No2．2009 (Ser．No．228) 2009年4月 Insulators and Surge Arresters Apr．2009 文章编号 ：1003—8337(2009)02—0032—04 掺杂纳米级Bi2o3对ZnO压敏陶瓷性能的影响 韩 伟 ’，王建文 ’，张耀平 ，孟 梅 ’，何 欣 ’ (1．西安市西无二电子信息集团有限公司，西安 710015；2．常德市耀弘纳米科技有限责任公司常德市 应用化学研究所 ，湖南 常德 415001) 摘 要：从样品制备 ．烧结过程。纳米级Bi，o 添加量及 电性能测试等方面介绍了掺杂纳米 级Bio 对生产高热容量、大通流能量ZnO压敏电阻片性能的影响 试验结果表明：采用纳米 级Bi20，(x(Bi03)I0．61％)代替普通Bio ，提高了老化及工频耐受性能，使烧成温度 降低到 1 075℃，同时还降低 了生产成本；并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的水平。 关键词 ：ZnO压敏陶瓷；纳米级Bio ；高热容量 ；通流能量 ；低温烧结 中图分类号：TM862 文献标识码 ：A TheInfluenceofBlendingtheNanophaseMaterialsBi203tothe FunctionofZnO Ceramics HANW ei，W ANG Jian-wen，ZHANG Yao-ping，MENGMei，HEXin (1．XianXiwuerElectronic info．eo．，Ltd．，Xian710015，China；2．ChangdePhilipYiu nanotechnologyLimitedLiabilityCompanyInstituteofApplied Chemistry，Changde415001，China) Abstract： The influence ofdosingthe nano—metric Bi2O3toproduce thehigh capacityand thermal—resistantZnO varistorpropertieswasintroduced，from theaspectsofsamplepreparation， sinteringprocess，nano-metricBi203doseandelectricaltestingetc—Theresuh showsthatadoptingthe nano—metricBi2O3insteadofthenormalBi2O3，raisetheagingandthepowerfrequencywithstand capability，makesthesinteringtemperaturedown to 1075oC，loweredtheproductioncost，andmake otherelectricity．performancesoftheresistorincreaseormaintainedtheoriginalleve1． Keywords：ZnO varistor；nano-metricBi2O3；pyrogeniccapacity；dischargeenergy；sinteringat lowedtemperature 晶界形成富铋薄层 ．产生表面态 ．形成晶界势垒而 0 刚 舌 产生非线性。如下式所示。 ZnO陶瓷表现出的伏安非线性特征和其它 电气 西B=eⅣs，2eoeNd