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第四章??? 光电式传感器 ???? 第一节? 概述 第二节?? 外光电效应器件 第三节?? 内光电效应器件 第四节?? 新型光电传感器 第五节?? 光敏传感器的应用举例 暗电流/mA 光电流/mA 10 20 30 40 50 60 70 T /oC 25 0 50 100 0 200 300 400 10 20 30 40 50 60 70 80 T/oC 光敏晶体管的温度特性 (4)温度特性 光敏三极管的温度特性曲线反映的是光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲线可以看出,温度变化对光电流的影响很小,而对暗电流的影响很大.所以电子线路中应该对暗电流进行温度补偿,否则将会导致输出误差。 (5)光敏三极管的频率特性 光敏三极管的频率特性曲线如图所示。光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响,减小负载电阻可以提高频率响应。一般来说,光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。对于锗管,入射光的调制频率要求在5kHz以下。硅管的频率响应要比锗管好。 0 100 1000 500 5000 10000 20 40 60 100 80 RL=1kΩ RL=10kΩ RL=100kΩ 入射光调制频率 / HZ 相对灵敏度/% 图4.3-15光敏晶体管的频率特性 第四节 其它光电传感器 一、色敏光电传感器 P + N P SiO2 电极1 电极2 电极3 1 2 3 色敏光电传感器和等效电路 色敏光电传感器实际上是光电传感器的一种特殊类型。它是两只结深不同的的光电二极管组合体,其结构和工作原理的等效电路如图所示。 双结光电二极管的P+-N结为浅结,N-P结为深结。当光照射时,P+,N,P三个区域及其间的势垒区均有光子吸收,但是吸收的效率不同。紫外光部分吸收系数大,经过很短距离就被吸收完毕;因此,浅结对紫外光有较高灵敏度。而红外光部分吸收系数小,光子主要在深结处被吸收;因此,深结对红外光有较高的灵敏度。即半导体中不同的区域对不同波长分别具有不同灵敏度。这一特性为识别颜色提供了可能性。利用不同结深二极管的组合,即可构成测定波长的半导体色敏传感器。 具体使用时,首先对该色敏器件进行标定,也就是测定在不同波长光照射下,深结的短路电流ISD2与浅结的短路电流ISD1的比值 ISD2 / ISD1 。 ISD2在长波区较大,ISD1在短波区较大;因而 ISD2 / ISD1与入射单色光波长的关系就可以确定。根据标定曲线,实测出某一单色光的短路电流比值,即可确定该单色光的波长。 (3)暗电流和本底脉冲 一般在使用光电倍增管时,必须把管子放在暗室里避光使用,使其只对入射光起作用;但是由于环境温度、热辐射和其它因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流,这种电流称为暗电流,这是热发射所致或场致发射造成的,这种暗电流通常可以用补偿电路消除。 如果光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全蔽光情况下,出现的电流称为本底电流,其值大于暗电流。增加的部分是宇宙射线对闪烁体的照射而使其激发,被激发的闪烁体照射在光电倍增管上而造成的,本底电流具有脉冲形式。 光电倍增管的光照特性 与直线最大偏离是3% 10-13 10-10 10-9 10-7 10-5 10-3 10-1 在45mA处饱和 10-14 10-10 10-6 10-2 光通量/1m 阳极电流/ A (4)光电倍增管的光谱特性 光谱特性反应了光电倍增管的阳极输出电流与照射在光电阴极上的光通量之间的函数关系。对于较好的管子,在很宽的光通量范围之内,这个关系是线性的,即入射光通量小于10-4lm时,有较好的线性关系。光通量大,开始出现非线性,如图所示。 利用物质在光的照射下电导性能改变或产生电动势的光电器件称内光电效应器件,常见的有光敏电阻光电池和光敏晶体管等。 一、光敏电阻 光敏电阻又称光导管,为纯电阻元件,其工作原理是基于光电导效应,其阻值随光照增强而减小。 优点:灵敏度高,光谱响应范围宽,体积小、重量轻、机械强度高,耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等。 不足:需要外部电源,有电流时会发热。 第三节 内光电效应器件 1. 光敏电阻的工作原理和结构 当光照射到光电导体上时,若光电导体为本征半导体材料,而且光辐射能量又足够强,光导材料价带上的电子将激发到导带上去,从而使导带的电子和价带的空穴增加,致使光导体的电导率变大。为实现能级的跃迁,入射光的能量必须大于光导体材料的禁带宽度Eg,即 hν= =
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