硅及多孔硅表面Si-OH、SiO-%2c2-结构理论研究.pdf

摘 要 硅及多孔硅表面Si—OH、Si02结构的理论研究 凝聚态物理专业 研究生周明秀 指导教师 杨春 摘 要 Si—OH、Si02存在于硅及硅复合材料的表面，对硅及其复合材料的性能具有 很大的影响。例如Si—OH存在于多孔硅的表面，对多孔硅的发光性能、多孔硅 表面吸附爆炸等具有重要的意义；在硅器件中，硅片表面被氧化形成Si02影响 硅片表面薄膜的沉积，进而影响器件的性能。由于物质的微观结构决定了其各 种物理化学性质，因此对硅及硅复合材料的表面组织形貌、微观结构、化学成 分和表面成键等情况的研究，对于进一步研究硅及其复合材料的表面化学态、 表面物理化学吸附具有重要的理论意义，并且对硅器件生产工艺的改进具有一 定的指导意义。 由于微观结构和电学性质上的特点，实验直接观察硅及其复合材料微观结 构受到一定的限制，而计算机模拟可以对一些通过实验无法直接观测的量进行 计算，补充实验研究的不足。因此，采用理论计算研究硅及其复合材料的表面 结构是一种十分重要的方法。本论文采用CASTEP第一性原理计算程序，对硅 和多孔硅表面的Si．OH和Si02结构展开了较为详细的研究。首先对硅片表面的 Si—OH和Si02结构进行了对比计算，交换关联能函数分别采用局域密度近似 析比较，得出第一原理广义梯度近似(66A)方法更适合硅材料表面结构的研 究。在以上研究的基础上，接着采用基于密度泛函理论广义梯度近似(GGA)的 平面波超软赝势方法，对多孔硅表面的Si—OH结构和Si／Si02界面结构进行计算， 通过分析优化后稳定的表面结构，得到以下结论：多孑L硅的表面为完全不规则 摘 要 。之问，si—o键之间表现出共价键特性，O—H键之间表现出离子键特性；对于 的Si02具有离子性的特点。 关键词：硅多孔硅密度泛函理论表面结构Si—OH Si02 Abstract Abstract exist andits materialsurfacehave Si—OHand whichonsilicon SiOz compound onthe ofsiliconandits materials．For influence compound prodi舀ous capacity whichexistson siliconsurfacehas on example,Si-OH porous significantmeaning siliconlsluminescence、surfaceand silicon porous adsorptionexplosion．Inapparatus， on film liesoilsiliconsurfaceaffectsthe ofmembrane Si02 which aggradafion silicon affectsthe ofsilicon superficial，andcapacity apparatus．Thephysica