ZnAl2O4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 7期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．7 2008年 7月 JOURNAL0F SEM ICONDUCTORS July，2008 ZnAl204缓冲层对 ZnO外延层晶体质量的影响 何金孝 段 壶 王晓峰 崔军朋 曾一平 李晋闽 (1中国科学 院半导体研究所 材料科学重点实验室 ，北京 100083) (2中国科学 院半导体研究所 半导体照 明研发 中心 ，北京 100083) 摘要：首次报道了通过引入 ZnA1z0 缓冲层，以金属源化学气相外延法 (MVPE)生长的 ZnO 晶体质量明显提高． ZnA1z0 缓冲层是通过对溶胶一凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的．用双晶x射线衍射仪 (DCXRD)对样 品 进行了 2 和摇摆 曲线测量，在 ZnA1z0 缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和 良好的晶体质量 (摇摆 曲线 半高宽为342)．用电子扫描显微镜(SEM)观