PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究.pdfVIP

第 22 卷第 3 期 半 　导 　体 　光 　电 Vol. 22 No. 3 2001 年 6 月 Semiconductor Optoelectronics J une 2001 ( ) 文章编号 :1001 - 5868 2001 03 - 0201 - 03 PECVD 生长氮化硅介质膜的工艺研究 张顾万 , 龙　飞 (重庆光电技术研究所 ,重庆 400060) 摘　要 : 　对 PECVD 生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质 膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微 镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。 关键词 : 　PECVD ; 氮化硅 ; 薄膜 中图分类号: 　TN304. 055 ; O484. 1 　　　文献标识码 : 　A Research on Technology for Si N Thin Film Grown by PECVD 3 4 ZHAN G Guwan , LON G Fei ( Chongqing Optoelectronics Research Institute , Chongqing 400060 , China) Abstract : 　Research on growth technology for Si N thin film by PECVD is carried out experi 3 4 mentally. Optimum process condition is obtained ,and high quality Si N thin film is successfully devel 3 4 oped. Through wet etching and ultrasonic experiment ,no film falling is observed with microscope. Ef fect of some process parameters on the growth of the film is described. Key words : 　PECVD ; Si N ; thin film 3 4 1 　引言 沉积特性外 ,与热反应相比 ,它还能增强淀积速率 , 获得均匀组分和特性的介质膜。 在集成电路的制造过程中 ,一方面 ,表面钝化对 PECVD 沉积技术除了用于制作器件的钝化 集成电路可靠性及稳定性有着重要的作用 ; 另一方 膜、增透膜外 ,它还可以用于制作光电器件扩散工艺 面 ,随着集成度的提高 ,单元尺寸不断下降 ,对结深 的阻挡层 , 以形成所需的 PN 结[2 ] 。氮化硅膜特性 等工艺参数的控制要求更加精确。而高温工艺难以 好 ,但生长难度大。本文着重叙述 P