第五章 主存储器.pptVIP

第 5 章  主 存 储 器 主要内容： §5.1 微型机的存储系统 将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法组织起来构成计算机的存储系统。系统的存储速度接近最快的存储器，容量接近最大的存储器。 目前，在计算机系统中通常采用三级层次结构来构成存储系统，主要由高速缓冲存储器Cache、主存储器和辅助存储器组成。 §5.2 半导体存储器 §5.2.1 半导体存储器的分类☆ §5.2.2 半导体存储器的性能指标☆ §5.2.3 半导体存储器的特点 §5.2.1 半导体存储器的分类 分类方法： 按半导体器件原理分类 ★ 按存储原理(信息的可保存性)分类★ 按数据存取方式分类★ 半导体存储器分类★ 半导体存储器的分类 按半导体器件原理分类★ 双极性TTL器件存储器:相对速度快,功耗大,集成度低 单极性MOS器件存储器:相对速度低,功耗小,集成度高 按存储原理(信息的可保存性)分类★ 随机存取存储器RAM：易失性，掉电时丢失数据。 只读存储器ROM：非易失性，掉电后保持数据。 按数据传送方式分类★ 并行存储器：多位同时传送。 串行存储器：一位一位串行传送。 §5.2.2 半导体存储器的性能指标 存储容量 ★ 存取时间 功耗 工作电源 1. 存储容量★ 表示一个存储器芯片能存储的二进制信息总量。 存储器芯片上有N个存储单元,每个单元可存放M位二进制数,则该芯片存储容量用N×M表示。 例如SRAM芯片6264(8K×8) ：有8K个存储单元，每个单元可存放8位二进制数，则此芯片存储容量是8K×8bit=8KB。 存储容量通常以B、MB、GB、TB为单位来表示。各层次之间的换算关系为： 1KB=1024B=210B；1MB=1024KB=220B； 1GB=1024MB=230B；1TB=1024GB=240B 2. 存取时间 存取时间:存储单元写入数据及读出数据所需的时间,单位用ns表示,存取时间越短说明速度越快. 注意：当CPU读写快而存储器存取慢时，常在读周期或写周期中加入等待周期，故增加了读写周期数。 存储芯片手册中给出典型存取时间或最大存取时间： 如：2732A-20和2732A-25，同一型号不同存取时间 2732A-20存取时间：200ns 2732A-25存取时间：250ns 3. 功耗 4. 工作电源 功耗：是存储器的重要指标，不仅表示存储器芯片的功耗，还确定了计算机系统中的散热问题。一般选用低功耗的存储芯片。 工作电源：TTL型存储器芯片：＋5V MOS型存储器芯片：＋3V～ ＋18V 存取时间和功耗的乘积为速度-功率乘积，是一项重要的综合指标。 §5.2.3 半导体存储器的特点 随机存取存储器RAM的特点 只读存储器ROM的特点 新型存储器的特点 1. RAM的特点 特点：可以随机地对每个存储单元进行读写，但断电后信息会丢失。 分类：根据半导体器件原理不同可分为： 双极性RAM：速度快，用于高速缓存。功耗大,集成度低，成本高，不用于内存。 MOS型RAM：功耗低，集成度高，价格便宜用于内存。速度慢不用于高速缓存。 MOS型RAM的分类 按存储单元的不同构造分为以下两类： 静态存储器SRAM 存放的信息在不停电的情况下能长时间保留不变，只要不掉电所保存的信息就不会丢失。 动态存储器DRAM 保存的内容即使在不掉电的情况下隔一定时间后也会自动消失，因此要定时对其进行刷新。 不挥发型RAM (Non Volatile RAM) 掉电后信息不丢失，可随机地读写数据。 用于Flash存储器(闪存)。 ① 静态存储器SRAM 构成：静态SRAM的基本存储单元由6个MOS管组成触发器构成，可以存放二进制的1bit信息。 优点：工作稳定，使用方便，不需外加刷新电路。 缺点：集成度不高。 典型芯片: 6116(2K×8), 6264(8K×8), 62128(16K×8), 62256(32K×8) 等。 ② 动态存储器DRAM 构成：基本存储单元由1个MOS管加1个电容组成，每个单元可以存放二进制的1bit信息。 优点：集成度很高、功耗低。 缺点：需外加刷新电路，向电容充电。 原因：只要电容上电荷不损失，所存储信息就不丢失。但电容上电荷必然损失，在使用时必须定时向电容充电补充损失的电荷。 芯片： 2116(16K×1),4164(64K×1),6256(256K×1) HM5116100(16M×1), HM5116160(1M×16