存储器与总线实验.pptVIP

C,B,A:表示数据通道选通控制信号： A9,A8:表示片选信号： 实验目的： 熟悉存储器和总线组成的硬件电路 实验步骤： 控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE)、写/读线（WE)、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE 、WE、 LDAR)之间对应连接。位于实验装置左中方（C、B、A)与位于实验装置左上方的（C、B、A)对应连接。 实验步骤： 完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。 在闪动的“P.”状态下按动增址命令键，使LED显示器自左向右第一位显示提示符“H.”,表示本装置已进入手动单元实验状态。 实验步骤： 内部总线数据写入存储器 给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下： 实验步骤： 实验步骤： 读存储器的数据到总线上 依次读出第00、01、02、03、04单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作如下： 实验步骤： SRAM芯片 HM6116 大庆石油学院 控制信号的字符串定义： S3-S0: 表示运算器操作选择信号，以控制16种算术运算或罗晶晶运算的一种； S1,S0,M又是移位寄存器的控制信号。 M: 表示运算器方式选择信号，M=0执行算术运算操作；M=1执行逻辑运算操作； /CN : 表示进位控制信号，/CN=0 表示是进位为1的带进位运算；/CN=1 LDCZY=0 表示不带进位运算，/CN=1 LDCZY=1表示带进位运算； /LOAD:当/LOAD=0表示装载PC值；/LOAD=1 表示PC计数状态； /CE： 表示主存（6116）的片选信号，低电平有效； WE：表示主存（6116）的读/写信号;当WE=1时，表示写；当WE=0时，表示读。 实验基本知识： LDR0-LDR2:表示将数据总线内容打入到R0-R2中，高电平有效； LDDR1-LDDR2:表示将数据总线内容打入暂存器DR1-DR2中，高电平有效； LDIR:表示将数据总线内容打入指令寄存器IR中，高电平有效； LDPC:表示程序计数器PC计数控制信号，高电平有效，当LOAD=1,LDPC=1时，PC加1； LDAR:表示将数据总线内容打入到地址寄存器中，高电平有效； LDCZY:表示进位（CY),零（ZY)标志控制信号，高电平有效； 实验基本知识： C B A 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 选择 关闭总线通道 C B A 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 关闭总线通道 表示将数据开关上的数据输入到数据总线； 表示将运算器结果发送到数据总线； 表示将PC计数器的内容发送到数据总线； 表示将寄存器R0的数据发送到数据总线； 表示将寄存器R1的数据发送到数据总线； 表示将寄存器R2的数据发送到数据总线； 表示将移位寄存器的内容发送到数据总线； 选择 A9 A8 选通 0 0 0 0 1 1 1 1 选通CS0 选通CS1 选通CS2 选通CS3 存储器和总线实验 实验一 实验要求： 按照实验步骤完成实验项目，利用存储器和总线传输数据。 数据开关 三态门 地址寄存器AR 存储器RAM 三态门 数据开关 CBA=000 CBA=001 CE=1 LDAR=1 /CB=1 按STEP CBA=000 CBA=001 LDAR=0 LDAR=0 /CE=0 WE=1 按STEP 数据开关 三态门 地址寄存器AR CBA=000 CBA=001 CE=1 存储器RAM CBA=001 /CE=1 LDAR=1 按STEP CBA=000 /CE=0 WE=0 LDAR=0 6116的工作方式 Din 写入 L X L Dout 读出 H L L 高阻 未选中（待用） X X H I/O 引脚 方式 /WE /OE /CE 数据收发器74LS245 74LS245是一种三态输出的8总线收发器。该收发器有16个双向传送的数据端，即A1－A8，B1－B8，另有两个控制端－使能端，方向控制端DIR，该芯片的功能见表 。 　74LS245 通常用于数据的双向传送、缓冲和驱动。 　　74LS245 通常用于数据的双向传送、缓冲和驱动。 74LS273 74LS273是8位数据/地址锁存器 　　74LS273是一种带清除功能的8D触发器， 1D