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单晶炉导流筒热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟.pdf
第39卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v。1．39N。．2『
OFSYNTHETICCRYSTALS
2010年4月 JOURNAL April，2010
单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅
生长影响的优化模拟
Kalaev2
苏文佳1，左然1，Vladimir
(1．江苏大学能源与动力工程学院，镇江212013；2．STRGroup，St．Petersburg，Russia)
摘要：在cz法生长太阳能级单晶硅中，单晶炉的导流筒、热屏和炭毡对晶体生长有很大影响。通过对上述三个部
件进行改进优化，并通过数值模拟对优化前后晶体和熔体的热场、热屏外表面与石英坩埚内壁面之间的氩气流场
以及晶体中的热应力进行分析，得出以下结论：石墨导流筒的引入减少了炉体上部的氩气流动涡胞，进而减少了
SiO在单晶炉上部的沉积；优化后的热屏减少了加热器对晶体的烘烤，使结晶速率加快；优化后的侧壁炭毡阻止了
加热器向上部的热损失。优化后在加热器功耗不变时，结晶速率至少可提高35％，而不增加宏观位错的发生概率。
关键词：单晶硅；数值模拟；热屏；炭毡
中图分类号：078 文献标识码：A
of Growth ofFlow
OptimizationCrystal byChanges Guide，
RadiationShieldandInsulationinCZSiFurnace
SU Kalaev2
Wen-jial，ZUORanl，Vladimir
of andPower
(1．School University，Jiangsu212013，China；
Energy Engineering。Jiangan
2．STR
Group，St．Petersburg，Russia)
7
(ReceivedJ嘶2009，accepted15卿肌妇2009)
with offlow
Abstract：In crystal CZmethod，thegeometriesguide，radiation
solar-gradesingle growth
shieldandsidewallinsulationaremain theheatfieldsand
parametersaffecting crystalgrowth．By
of simulations
theabove theheatfieldswas of
changing parameters，anoptimization attempted．Numerical
thethermalfieldsbeforeandafter were ofthe
optimizatio
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