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半导体存储器技术Semiconductor Memory Technologies 内容：非挥发性存储器：快闪存储器 §5 半导体存储器集成工艺 §5.1 CMOS集成工艺技术 §5.2 DRAM存储器集成工艺 §5.3 Flash存储器集成工艺 §5.4 器件与工艺的仿真设计 参考文献： SILVACO用户手册 Silvaco Tutorial §5.4.1 Introduction §5.4.2 Getting Started §5.4.3 Athena §5.4.4 Atlas §5.4.5 Tonyplot Introduction 仿真器: Athena：工艺仿真器 仿真工艺过程，输出器件物理结构 Atlas：器件仿真器 根据物理结构，在特定偏置下仿真器件电气性质 交互式工具: Deckbuild：交互式运行环境 Tonyplot：交互式图形环境 Silvaco Tutorial §5.4.1 Introduction §5.4.2 Getting Started §5.4.3 Athena §5.4.4 Atlas §5.4.5 Tonyplot Getting Started 登陆至unix工作站 开启一个终端 点击右键?工具?终端 Getting Started 建立工作文件夹，并进入工作文件夹 % mkdir example % cd example Getting Started 进入交互式运行环境deckbuild % deckbuild Deckbuild的主要作用： 生成输入文件 交互式模拟环境 不同仿真器的接口 调用其它交互式工具 Getting Started Getting Started 帮助信息的获取 在Deckbuild的tty窗口中输入help command name 能够得到关于特定命令的参数名称、类型、初始值 例子的获取 Main Control?Example 在已有例子上进行修改是高效的编写输入文件的方式 Silvaco Tutorial §5.4.1 Introduction §5.4.2 Getting Started §5.4.3 Athena §5.4.4 Atlas §5.4.5 Tonyplot Athena-介绍 二维工艺仿真器 能够模拟工艺过程 Diffusion Oxidation Implantation Etching Deposition CMP ……………… 输出器件物理结构、掺杂分布 Athena-输入输出文件 输入文件：Filename.in File?Save 输出文件：Filename.str 最终器件结构，可作为Atlas输入 历史输出文件：.history**.str 中间器件结构，系统自动生成，最多可保存30个 Athena-输入文件结构 Athena-基本语句(1) 注释符：# 大小写不敏感，部分单词可缩写 长度单位：um 时间单位：min 浓度单位：个/cm3 能量单位：keV 剂量单位：个/cm2 角度单位：degree 压力单位：大气压 温度单位：℃ Athena-基本语句(2) Athena启动语句： 基本语法： go athena 网格定义语句： 基本语法： line x|y location=n spacing=n a. x|y: 定义网格方向 b. location: 定义网格位置 c. spacing: location附近网格的大小 例子： line x loc=0.00 spac=0.1 line x loc=5.00 spac=0.05 line x loc=10.00 spac=0.1 Athena-基本语句(3) 衬底制备语句： 基本语法： init orientation=n c.boron=n a. orientation: 晶向，100|110|111，缺省为100晶向 b. c.boron/c.phos: p/n型衬底浓度 例子： init orientation=100 c.boron=1e15 Athena-基本语句(4) 扩散、氧化语句： 基本语法： diffuse time=n temp=n atmos press=n c.boron|c.arsenic|c.phosphor=n a. time: 高温过程的时间 b. temp: 高温过程的温度，800-1200范围内 c. atmos: dryo2(干氧)|weto2(湿氧)|nitro(退火处理/扩散过程) d. press: 单位气压（