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绪论 8.1 化学传感器 8.1.1 电位型电化学传感器原理 8.1.2 离子敏感器件 8.1.2.1 ISFET的结构与工作原理 8.1.2.2 ISFET的特点和应用 8.1.3 气敏传感器 8.1.3.1气敏半导体材料的导电机理 8.1.3.2 电阻型气敏器件 8.1.3.3 非电阻型气敏器件 8.2 生物传感器 8.2.1 酶传感器 8.2.1.1 酶反应 8.2.1.2 酶传感器 8.2.2 微生物传感器 8.2.2.1 微生物反应 8.2.2.2 微生物传感器 8.2.3 免疫传感器 8.2.3.1 免疫学反应 8.2.3.2 免疫传感器 8.2.4 生物组织传感器 8.2.5 光生物传感器 8.1 化学传感器 化学传感器包括电化学传感器、光化学传感器、质量化学传感器和热化学传感器。 根据转换的电信号种类不同,可将电化学传感器分为电流型化学传感器、电位型化学传感器和电阻型化学传感器。 8.1.1 电位型电化学传感器原理 有三种基本电化学过程适用于构成传感器: 1.电位法:测量零电流下的电池电位; 2. 伏安法(电流法):在电池电位间设置氧化(或还原)电位来测量电池的电流; 3. 电导法:用一交流电桥方法来测量电池的电导。 现在只讨论电位法: 将一金属条(例如银)置于一含离子的溶液(如银离子)中,沿着金属和溶液的界面会产生电荷分布,这就产生了人们所说的电子压力,通常称为电位。 电动势数值大小取决于几个因素:①电极材料;②各个半电池内的溶液性质及浓度;③通过膜(或盐桥)的液体接界电位。 如图图 8-1,8-2,8-3. 图8-2 两个半电池电极组合成一完整的电池 图 8-3 氢电极与其它半电池相连接 溶液浓度与测量电极电位的关系由能斯特方程确定,基本能斯持方程是从基础热力学方程导出的对数关系式 式中 E-测量电极电位,V; E0-参考电极电位,V; [Ox]-溶液中氧化性物质浓度(活度),mol/L; [R]- 溶液中还原性物质浓度(活度),mol/L,金属电极[R]=1。 在栅极不加偏压 时,栅氧化层下面的 硅是P型,而源漏是N 型,故源漏之间不导 通。 当栅源之间加正 向偏压VGS,且有VGS>VT(阈电压)时,则栅氧化层下面的硅就反型,从P型变为N型。这个N型区就将源区和漏区连接起来,起导电通道的作用,称为沟道,此时MOSFET就进人工作状态。 在 MOSFET的栅电极加上大于VT的正偏压后,源漏之间加电压VDS,则源和漏之间就有电流流通,用IDS表示。IDS的大小随VGS和VDS的大小而变化,其变化规律即MOS-FET的电流电压特性,图8-5 所示是其输 出特性和转 移特性曲线。 非极性界面和极性界面电荷分布的大致情况如图8-7和如图8-8所示 : 8.1.2.2 ISFET的特点和应用 ISFET的特点: 根据以上介绍的ISFET的结构和工作原理可知,它具有以下特点: (1)ISFET器件本身就能完成由高阻抗到低阻抗的变换,同时具有展宽频带和对信号进行放大的作用,这将使测量仪器大为简化。 (2)ISFET具有体积小,重量轻,机械强度大等特点,特别适合于生物体内和高压条件下的测量使用。 (3)敏感膜可以做得很薄,一般可小于100nm。这可使ISFET的水化时间很短,从而使离子活度的响应速度很快,响应时间可小于1s。 (4)易于将信息转换部分和信号放大检出部分与敏感器件集成在一块芯片上,实现整个系统的智能化、小型化和全固态化。 (5)ISFET无需考虑离子敏感材料导电性问题,这就可在包括绝缘材料在内的广泛材料领域中找到更多更好的离子敏感材料。 ISFET的应用: (1)对生物体液中无机离子的检测 (2)在环境保护中的应用 (3)在其他方面的应用串行通信 8.1.3 气敏传感器 早在20世纪30年代就已发现氧化亚铜的导电率随水蒸气的吸附而发生改变,其后又发现其它许多金属氧化物也都具有气敏效应。20世纪 60年代研制成
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