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物理化学学报!!#$ %’( )(*+,
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纳米结构 ! 聚 己基噻吩多孔膜电极光电性能研究
郝彦忠!#$ 蔡春立$
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河北科技大学理学院 河北科技大学化学与制药工程学院 石家庄
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摘要 用光电流作用谱 光电流 电势图等光电化学方法研究了 聚 己基噻吩 膜和纳米结构
GCHI - !GCHI J-KC C6H I
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聚 己基噻吩 复合膜的光电转换性质 结果表明 膜的禁带宽度为 价带位置为
- !C6H IJ-KC ) * J-KC +)0. $L* M/)E $L)
,
在 复合膜电极中存在 异质结 在一定条件下异质结的存在有利于光生电子 空穴对的分离
GCHIC6H I J-KC : 9 * )
,
修饰 电极可使光电流发生明显的红移 从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率
J-KC GCHIC6H, * )
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关键词 纳米结构 电极 光电化学 聚 己基噻吩
C6H IJ-KC * * -
,
中图分类号! HDED
导电聚合物敏化宽禁带半导体集光吸收和电荷 结构 电极 参比电极为饱和甘汞电极或
C6H IJ-KC
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