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建筑与环境 预防性维护期间洁净室大气污染物扩散的模拟测试 摘要 通过人工释放纯度高达99.9%的(SF6) 六氟化硫来模拟在半导体晶圆厂的净化室中以492g/h的速度工作的蚀刻薄膜的释放源。三个可移动的傅里叶变换红外光谱仪 (傅里叶变换红外光谱计，检测范围：10 ppb） 被同时用于实时测量在不同地方的净化室中SF6的浓度。同时三维数值模型也被用来预测非定常气体浓度的分布，其结果与实验数据进行比较。由于洁净室中污染物高度稀释，现有的气体传感器可能已不具备足够的灵敏度，因此需要一个更好地监测系统和策略，以保护人员免受伤害并确保良好的产品产量。在与有效的数值结果相比较后，发现对流模型可预测实验值在0.34-1.33倍的合理范围内的污染物浓度的峰值，在检测距离与释放点十分接近的情况下除外。一旦在洁净室中有污染物泄漏,对流模型就能够预测合理的可达到的最大浓度。 1、引言 由于在半导体晶圆产业中其特征尺寸不断缩小，因而空气中的污染物对该最先进的制造工艺过程构成了严重的威胁。当气体污染物从管道、管接头或者处理室泄漏出时，它与再循环空气混合并分散在洁净室成为空气分子污染（AMC），这将会导致经过特殊加工的工具损坏、产品腐蚀、晶圆缺陷和潜在的人员损伤 [1]。 在过去已进行了许多有关在洁净室中微污染物的研究。当氢氯化合物的浓度高于28 ppb时，在测试晶圆片上会观察到腐蚀缺陷[2]。20ppb氨的浓度可能会导致关键维度在25–35%之间转换，转换取决于光致抗蚀剂[3]的类型。当化学放大抗蚀剂被遗留在不受控制的约为10 ppb的NH3的空气中时，晶圆片上的图案也不会显现或者出现t-top现象[4]。朦胧的光学透镜被发现于一个由于在抗蚀剂剥离过程的预防性维护期间有连续释放的高浓度NH3进入洁净室的TFT-LCD中。在钌（Ru）CVD炉管的清理期间扩散到洁净室的钌空气污染物被确定为对MOSFETs [6]进程有害的气体。在预防性维护期间，由于金属蚀刻室和下游管道的排放而发现了高浓度的腐蚀性和有毒性气体[7，8]。如果没有适当的控制，在密闭的房间内氯化氢(HCl)将会高达 343 ppm，从而在密室打开后可能会导致晶片和经过特殊加工的工具腐蚀,。因此，为了确保半导体晶圆工业的高产量，污染物浓度必须控制某一限度以下。例如，半导体国际技术路线图（ITRS）产量提高委员会建议在刻线暴露的环境中总的无机酸碱浓度应分别少于0.5至2.5 ppb；在2007年至2015年的光刻技术洁净室环境中，应分别少于 5.0 和 50.0 ppb[9]。为了满足这一严格的要求，通常化学过滤器在洁净室中被用于减少AMC的浓度[2-4]。小环境和标准机械接口（SMIF） 附件也是非常有效的用于达到洁净要求的工具[10]。在小环境空间和它周围的空间的气压差异被认为是很低的，并且已经有效地维持在低粒子浓度水平。 此外，在预防性维护期间有效的通风设备是减少洁净室AMC污染物的重要方法 [8]。 然而，洁净室中的 AMC 浓度是非均匀恒定的，因此需要深入的研究。Chen 等人 [12]专注于研究气态污染物阀箱试验和数值模拟的精细的气流和瞬态浓度，发现了污染物的热点、浓度峰值和降低污染物浓度至本底水平所需的时间。Mora等人 [13] 则致力于调查大型室内空间中流场的两种模拟方法。他们认为粗网格k–εCFD（Star –CD code) 比分区方法更为准确，粗网格k–εCFD（Star –CD code)法被发现可以改进预测气流与污染物转移的混合假设。Zhang和Chen [14] 用逆 CFD 模型与 (QR) 方程和数值计划确定飞机座舱和办公室中的气态污染物来源。Choi和Edwards[15]进行大涡模拟，以量化由于人类运动而产生的污染物传播。S?rensenet 等人 [16] 对改进量化CFD提出了以下几点建议： (1)初始边界条件和湍流模型应该足够详细 ；(2) 拓扑结构和计算网格的大小应进行描述说明 (3) 网格依赖性的影响应该得到解决；(4) 使用差异计划应说明 ；(5) 墙上的无量纲距离的范围应该与受雇的湍流模型一致 ； (6) 计算应通过对一个相似问题的测量或标准测试进行验证。 本文运用了与Chen 等人 [12]相似的实验方法和数值模拟方法来进行，用于调查在模拟的预防性维护期间内，工作洁净室中气态污染物的时空分散模式。对于预测污染物浓度的气体传感器的适用性和对流模型的适用性将会按照研究中发现的稀释因素进行讨论。 2实验方法 此次实验研究是在台湾新竹的一家DRAM半导体晶圆厂的一间一级ISO标准、FFUs类型的工作洁净室中进行的。图1a和B显示的是二维和三维的洁净室的示意图，其中工厂的第三、第四和第五层分别是副工厂层，工厂层和送风静压层。总共有 1