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* 3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 推导步骤： 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ” 关系，两者结合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本节以均匀基区 NPN 管为例。 （并推广到高频小信号） 先复习一些推导中要用到的公式 3.9.1 小信号的电荷控制模型 ( i ~ q 关系 ) 参考方向：电流均以流入为正，结电压为 vbe 和 vcb 。 基极电流的高频小信号分量 ib 由以下 6 部分组成： 晶体管中各种电荷的高频小信号分量为 (2) 由基区注入发射区的少子形成的 ipe ，这些电荷在发射区中与多子相复合，故可表示为 (1) 补充与基区少子复合掉的多子的电流 (4) 当 vcb 变化时，对 CTC 的充放电电流 (5) 当基区电荷 qb 变化时引起的电流 (6) 当发射区电荷 qe 变化时引起的电流 (3) 当 vbe 变化时，对 CTE 的充放电电流 其中基区少子的小信号电荷 qb 又可分为由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引起的 qb ( C ) 两部分。 因此基极电流的高频小信号分量 ib 可以表为 集电极电流的高频小信号分量 ic 由以下 3 部分组成 (1) 从发射区注入基区的少子，渡越过基区被集电结收集后所形成的 (2) 当 vcb 变化时，对 CTC 的充放电电流 (3) 当 vcb 变化时，引起 qb ( C ) 变化时所需的电流 因此 3.9.2 小信号的电荷电压关系 ( q ~ v 关系 ) 下面推导晶体管中的各种 “ q ~ v ” 关系 式中的 qb ( E ) 实际上就是 CDE 上的电荷，即 vbe 增加时，qb ( E ) 增加。 将 与 代入 中，得 因此 vcb 增加时，qb ( C ) 减少。 于是得到各 “ q ~ v ” 关系为 将以上的 qe 、qb 、qte 、qtc 代入基极电流 ib 中， 式中， 3.9.3 高频小信号电流电压方程 经整理和简化后得 也分为与 vbe 有关的 和与 vcb 有关的 ，即 下面推导集电极电流 ic 必须将上式中的 看作一个整体，即 ，它 上式中， 代表集电极电流受发射结电压变化的影响，称为晶体管的 转移电导，或 跨导。 根据发射极增量电阻 re 的表达式，gm 与 re 之间的关系为 由晶体管的直流电流电压方程 ( 3-59b )， 当发射结正偏集电结反偏时，跨导可表为 代入 ic 中，经整理后得 中的其余两项为 于是得到共发射极高频小信号电流电压方程为 当用高频小信号的振幅来表示时，晶体管的共发射极高频小信号电流电压方程为 再由 Ie = -Ib - Ic 的关系，可求出 Ie ，并考虑到 可得共基极高频小信号电流电压方程 （3-358a） （3-358b） 3.9.5 小信号等效电路 如果用另外一些元件构成一个电路，使其输入输出端上信号量之间的关系和晶体管的完全一样，则这个电路就是晶体管的 等效电路。在分析含有晶体管的电路时，可以用等效电路来代替晶体管 。要注意的是 ，等效电路是对外等效对内不等效 ，所以等效电路不能用来研究晶体管的内部物理过程。 根据共发射极高频小信号电流电压方程 可得原始的共发射极高频小信号等效电路 1、混合π等效电路 电路的转换 利用电流源之间的转换关系 c、e 之间的 和 e、b 之间的 可以转化为 c、b 之间的 ，又由于此电流正比于 c、b 之间的电压 Vcb ，所以这实际上是 c、b 之 间的电容 。 CDE 、CTE 和 CTC