SOI+MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究.pdfVIP

第 5$ 卷 第 ! 期 $$! 年 ! 月 物 理 学 报 ， ， ， DGO -5$ 1G - ! PQRQST $$! （） !$$$J’K$9 $$!9 5$ ! 9 $!$J$ L60L 2MN()6L ()1)6L $$! 6U; - 2UTV - (GB - !# $!%’ 转移特性中的深度饱和现象研究! 郝 跃!） 朱建纲!） 郭 林 ） 张正幡 ） !） （西安电子科技大学微电子研究所，西安 #!$$#!） ） （四川固体电路研究所，重庆 %$$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$$ ’ # $$$ # ! 研究了 器件的电学特性 发现在众多的 中，输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸 ()*+, (+) - *+(./0 变，表现在转移特性曲线上便是高栅压区域中漏电流的深度饱和 在经历沟道热载流子应力之后，这类器件的电学 - 参数退化不同于一般器件 的损伤特性 研究发现 在应力之后其漏 电流的深度饱和得到恢复；而对于 - 1*+(./0 ，应力之后输出特性中的“鸟嘴”形畸变并没有消弱的迹象 这些性质对于 器件可靠性设计和可靠性加固 2*+( - (+) 均是重要的- 关键词： ，深度饱和，热载流子，界面陷阱 (+) ： ()** #’%$ 转移特性中的大量畸变现象，并对这种畸变现象的 ! 引 言 出现给出了合理的解释- 研究了沟道热载流子注入 对这种现象的影响，从中得出 管与 管的热载流 (+) *+(./0 在亚微米、深亚微米范围的低压低 子应力后器件表现是不相同- 本研究对于 (+) 电路 功耗 6*+( 电路、存储器及高温高频应用中，具有很 和器件的可靠性设计和加固奠定了一定的基础 - 大的吸引力，在 时代具有很强的竞争力 与体 78() - 硅器件相比较， 结构具有以下几个优点： 器件电特性的畸变 6*+(9 (+) ()*+, (+) 消除了闩锁效应，减小了软误差率和寄生电容、泄漏 电流，并且器件隔离工艺更加简单，浅结制作更加方 本研究所用的 ()*+, (+) 器件，顶层硅膜厚度 ［— ］ 便 ! ’ - 并且 (+) 器件还具有很陡的亚阈值斜率，电