第三章半导体二极管及其基本应用电路.pptVIP

注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 思考 N型半导体导电能力跟什么有关系？ N型半导体中导电依然是靠自由电子和空穴，自由电子浓度大，主要靠自由电子导电，掺入的杂质越多，导电能力越强。 思考 P型半导体导电能力跟什么有关系？ P型半导体主要靠空穴导电，掺入的杂质越多，空穴浓度越高，导电能力越强。 可以认为，杂质半导体中多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度，所以掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度。 定量分析温度对少子浓度的影响 温度一定时，原本征半导体载流子浓度ni的平方等于掺杂后自由电子浓度n0和空穴浓度p0的乘积 在一片硅片中掺入五价砷，浓度 T=300时 求温度升高到T=400时少子浓度值 已知T=400时 导体中只有自由电子一种载流子，在电场作用下形成定向漂移电流。由于半导体中有自由电子和空穴两种载流子，他们在电场作用下形成漂移电流，在浓度差作用下形成扩散电流。 1 扩散运动形成P-N的扩散电流Id（多子扩散） 2 扩散运动使PN接触面产生空间电荷区，产生N-P的内电场，方向与Id相反，阻止扩散，促进漂移 3 N-P漂移电流It（少子漂移） 4多子继续扩散，空间电荷区变宽，内电场增强，阻止扩散增进漂移，直到Id=It，达到动态平衡。 PN结的电流方程 PN结的电容效应 1 势垒电容：空间电荷量随外加电压变化产生的电容—变容二极管 因其电荷量储存在势垒区（空间电荷区）而得名 2 扩散电容：扩散电流随外加电压变化产生的电容 因扩散电流产生而得名 3 结电容：二者之和 PN结的击穿特性 1 雪崩击穿：掺杂浓度低，反向电压高，束缚在共价键中的价电子被碰撞出来，进而在碰撞相邻的价电子，如此连锁反应像雪崩一样 PN结的击穿特性 2 齐纳击穿：掺杂浓度高，反向电压低， 由于阻挡层比较窄，很小的电压就能建立很强的电场，电场的作用把价电子从共价键中拉出来。 击穿的应用 PN结一旦被击穿，反向电流急剧增大，而端电压几乎维持不变-稳压管 二极管的简化模型 1 理想二极管 2 折线二极管 二极管电路分析举例 二极管电路分析举例 理想二极管：二极管可看作短路，UAB =－ 6V 折线二极管，ud=0.7v， UAB为－6.7Ｖ 二极管基本应用电路 1 整流电路 2 开关电路 3 稳压管 4 发光管 1 半波整流电路 2 开关电路 二极管基本应用电路稳压二极管 3. 主要参数 　　综上所述： 　　当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态；当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　可见， PN 结具有单向导电性。 PN结的伏安特性 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 1.2.2　二极管 　　将 PN 结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，再从 P 区和 N 区分别焊出两根引线作正、负极，就构成了二极管。 二极管的结构： (a)外形图 半导体二极管又称晶体二极管。 (b)符号 图 1.2.4　二极管的外形和符号 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图01.11所示。 (1) 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 图 01.11 二极管的结构示意图 二极管的结构 图 01.11 二极管的结构示意图 (c)平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 二极管的伏安特性 　　在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，I = f (U )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 硅管的伏安特性 开启电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 锗管的伏安特性 0 图 1.2.4　二极管的伏安特性 1. 正向特性 当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。 　　相应的电压叫开启电压。范围称死区。开启电压与材料和温度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右。 正向特性 开启电压 60 40 20 0 0.4