第四章光电子技术与应用.pptVIP

第四章 光辐射的探测技术 主要内容 4.1 光电探测的物理效应 4.2 光探测器性能参数和噪声 4.3 光电探测器 4.4 光电探测方式 4.1 光电探测的物理效应 4.1 光电探测的物理效应 光电探测器：对各种光辐射进行接收和探测的器件。 4.1 光电探测的物理效应 光电探测的物理效应可以分为三大类： 光电效应 光热效应 波扰动效应 4.1 光电探测的物理效应 光电效应 光照射到物体上使物体发射电子，或电导率发生变化，或产生电动势，这些因光照引起物体电学特性改变的现象，统称为光电效应。 内光电效应光子激发的载流子(电子或空穴)将保留在材料内部，主要包括光电导效应和光伏效应。 外光电效应主要指发生在物质表面上的光电转化效应。 4.1 光电探测的物理效应 光热效应 器件吸收入射辐射功率产生温升，温升引起材料某种有赖于温度的参量的变化，检测该变化，可以探知辐射的存在和强弱。这一过程比较缓慢。 对光辐射的转换过程： 第一步按系统的热力学特性来确定入射辐射所引起的温度升高； 第二步探测器件因温升引起器件物理特性的变化而输出各种电信号。 4.1.1外光电效应——光电发射效应 当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射的光能使表面的电子获得足够的能量，电子就会克服正离子对它的吸引力，脱离金属表面而进入外界空间，这种现象称为外光电效应。 能产生光电发射效应的物体称为光电发射体。 4.1.1外光电效应——光电发射效应 爱因斯坦定律 如果发射体内电子吸收的光子能量大于发射体表面逸出功，则电子将以一定的速度从发射体表面发射，光电子离开发射体表面时的初动能随入射光的频率线性增长，与入射光的强度无关。 光电效应方程： 4.1.1外光电效应——光电发射效应 该式表明，入射光子必须具有足够的能量，也就是说至少要等于逸出功，才能发生光电发射。ν0为产生光电发射的最低频率，即该频率与材料的属性有关，与入射光强无关。 4.1.1外光电效应——光电发射效应 入射光波长大于截止波长时，无论光强有多大、照射时间多长，都不会有光电子发射。光电发射大致可分为三个过程： 光入射物体后，物体中的电子吸收光子能量，从基态跃迁到激发态； 受激电子从受激处出发，向表面运动，其间必然要同其他电子或晶格发生碰撞而失去部分能量； 到达表面的电子克服表面势垒对其的束缚，逸出形成光电子。 4.1.1外光电效应——光电发射效应 光电倍增管 光电倍增管利用外光电效应原理制成。 今天我们使用的光电器件中，光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图所示，在真空管中，包括光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极（阳极）的器件。 4.1.1外光电效应——光电发射效应 当光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 4.1.1外光电效应——光电发射效应 4.1.2内光电效应 光电导效应 光电导效应是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使得非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，从而导致材料电导率增大。这种变化可以通过测量负载电阻两端的电压来观察。该现象是100多年来有关半导体与光作用的各种现象中最早为人们所知的现象。 4.1.2内光电效应 利用此现象制成的光探测器称为光电导探测器。 20世纪又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉、硫化铅等材料中发现光电导效应，并由此发展了从紫外、可见到红外各个波段的辐射探测器。 4.1.2内光电效应 光子能量 红限波长 光电流 4.1.2内光电效应 4.1.2内光电效应 光子将在其中激发出新的载流子(电子和空穴)。这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了变化量 这个新增加的部分在半导体物理中叫非平衡载流子-光生载流子。 显然，这两个变化量将使半导体的电导增加一个量?G，我们称之为光电导。相应和杂质半导体就分别称为本征光电导和杂质光电导。 4.1.2内光电效应 光敏电阻 4.1.2内光电效应 光电导摄像管 4.1.2内光电效应 光电导摄像管的结构如图所示。它主要由光敏靶和电子枪两部分组成。光敏靶是由光敏半导体材料制成的。景物通过光学系统在摄像管光敏靶上成像。由于光像各部分的亮度不同。靶上各相应部分的电导率发生了相应变化，与亮像素对应的靶单元的电导较大。与暗像素对应的靶单元电导较小，于是将景物各像素亮度不同变成了靶面上各单元的电导不同，光像变成了“电像”。 4.1.2内光电效应 电子枪 电子枪的任务是发射电子束，它由灯丝J、阴极K、栅极G及加