电路基础与集成电子技术电子教案与习题解答蔡惟铮 第4章 半导体二极管和晶体管 4.2 PN结.pptVIP

4.2 PN结 4.2.1 PN结的形成 4.2.2 PN结的单向导电性 4.2.3 PN结的电容效应 4.2.1 PN结的形成 N P 将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，是原子半径尺度上的紧密连接。下图是PN结形成过程的示意图，图中蓝色小圆 为多子电子；红色小圆 为多子空穴。蓝色小方块 为少子电子；红色小方块 为少子空穴。 扩散电流 图4.2.1 PN结的形成 此时将在结合面上形成如下物理过程。 因P区和N区多子浓度差,形成多子的扩散运动, 于是产生了扩散电流。 N P 扩散电流 漂移电流 内电场 多子扩散的结果，在交界面处由杂质离子形成了空间电荷区，产生了内电场。这个空间电荷区，或内电场称为PN结。 图4.02.01 PN结的形成 内电场的形成将阻止扩散运动的进一步发展，同时内电场对少子施加电场力，促使少子产生漂移运动，形成漂移电流， N P 扩散电流 漂移电流 内电场 图4.2.1 PN结的形成 所以，在一定温度条件下，扩散和漂移会达到动态平衡，扩散电流和漂移电流相等。 扩散运动越强，内电场越强，对扩散运动的阻碍就越强。 虽然内电场越强，但因为少子的浓度由本征激发确定，在一定的温度条件下 是一定的。所以，漂移电流的大小就一定，不会随内电场加大而加大。 以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程过程概括如下： 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 因为内电场 PN结 中的多数载流子已经扩散尽了，缺少多子，所以PN结也称为耗尽层。PN结有许多别名，空间电荷区、耗尽层、内电场、离子薄层等等。 扩散电流 漂移电流 ＝ PN结具有单向导电性，如果外加电压使： 下面对PN结的单向导电性进行解释。 4.2.2 PN结的单向导电性 给PN结所加的电压满足UP UN，称为给PN结加正向电压，简称PN结正偏； 给PN结所加的电压满足UP UN，称为给PN结加反向电压，简称PN结反偏。 实验：PN结的导电性。 电源正极 二极管负极黑色圆环标记在右侧 发光二极管发光 图4.2.2 PN结单向导电性实验 正偏 4.2.2.1 PN结加正向电压时的导电情况 PN结加正向电压时的导电情况如图4.2.3所示。 外加的正向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，PN结呈现低阻性。 IF 内电场 外电场 内电场 图4.2.3 PN结加正向电压 R E 此时PN结反偏，电阻大，发光二极管不发光，说明PN结不导电。这个实验说明PN结具有单向导电性。 将PN结左右翻转180?，二极管负极接电源正极，黑色标记在左侧。 发光二极管熄灭 电源正极 图4.2.3 PN结单向导电性实验 反偏 4.2.2.2 PN结加反向电压时的导电情况 PN结加反向电压时的导电情况如图04.01.12所示。 外加的反向电压在PN结区的方向与内电场相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流近似为0。此时少子形成的漂移电流远大于扩散电流，PN结呈现高阻性。 内电场 内电场 图04.01.12 PN结加反向电压 R E 外电场 IS 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，这个电流Is也称为反向饱和电流。 4.2.3 PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。 一是势垒电容CB ， 二是扩散电容CD 。 势垒电容主要是由空间电荷区的离子薄层形成的。外加反向电压来控制 PN 结的厚度，PN 结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面堆积而形成的。当PN结正偏时，由N区刚扩散到P区的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近；反之，情况相同。在PN结两侧空穴和电子的堆积，类似于一个电容。 因为搀杂浓度大约是本征硅原子浓度的百万分之一，在此将搀杂离子集中画出，是一个示意图。