集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究.pdfVIP

第42卷 第 11期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vo1．42 No1l 2008年 11月 J()URNALOFXIANJIAOTONGUNIVERSITY Nov．2008 集成 电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究 吴子景 ，吴晓京 ，SHENwei—dian。，蒋宾。 (1．复旦大学材料科学系，200433，上海；2．DepartmentofPhysicsandAstronomy，EasternMichiganUniversity， Ypsilanti，MI48197，USA；3．上海集成 电路研发中心，201203，上海) 摘要：利用等离子体增强化学气相淀积工艺在 P型单晶硅 (1l1)衬底上制备 了厚度为 70、150、450 nm的SiO2薄膜和 100、170、220nm的Si3N 薄膜，并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试 与分析．薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用0liver—Pharr方法．在测量两种薄膜的硬度 时没有发现压痕尺寸效应