投影光刻的干涉效应.pdfVIP

维普资讯 1990年第 8期 LSI制 连 与 神l试 弟十一誊 投影光刻的干涉效应 中国科学院上海光学精 密机械研 完所 鄞海兴 箱 薹 本文讨论 了大入射 光角锥照 明下 ，光刻的驻波效应和 戏光束干涉现象，给 出了 包舍光刻胶厚度，吸收，界面反射率、凡射角和波长等因素在 内的干涉场光据 幅表 选文，分析 了接近式 光刻和投影光刘两种情况 的干涉现 象I提 出了改善光盍4质量 的 途 径 。 以激 光束光刻为代表的新一代投影光刻 底 (硅片或铝)上 (图 1)，则入射光振幅 技术将促进徽 电子技术顺利地步入亚微米量 级 的图形制作 阶段。激光和汞灯都是单色性 较好的光源 ，因此，光刻胶 中必然会产生光 干涉现象，对光刻质量带来影 响。因此 ，研 究投影光刻 的光干涉现象是微细光刻技术的 重 要课题 。光干涉表现为两种不 同方式 ；一 种是光刻胶与基底界面的反射光和入射光干 涉，在胶层厚度范围内形成大的光强起伏， X 通常称为驻波。驻波效应严重时，将影响光 刻胶的显影，在 图形线条边缘产生台阶形结 构。另一种是光刻胶表面的反射光和光刻胶 攫 1 与基底界面反射光干涉，在被刻基片表面上 分 布 表 示 为IExf=A l{eoSeI~xp(一i)， 形成双光束干涉型光强分布 。严重时，造成 E ，=A1exp(一 )，E Z‘=‘AHsirtei~xp 局部光刻胶严重减薄，甚至导致 电路图形的 (一i ) (1) 断线。对驻波效应 已进行过一定的讨论 “ ，‘ 其 中，t t一 ) (2) 但仅限于垂直入射平面光波或小数值孔径照 明情况，对大数值孔径照 明下的驻波未见报 ∞为光振动角频率，t为时刻，为光在光封 导，而这正是应讨论的重点。双光束干涉型 胶 中的速度。AII、Ai为光振幅 现象也未见报导。本文讨论了驻 波效应 和双 设光刻胶厚度为_d(m)，吸 收 系 数 为 光干柬干涉现象，韭提出改善光刻质量的途 a(1~m )，则入射光 振幅分布 由(1)式 可 写 径 。 为 { E ”：AIIeos0~exp(一it)expC—a(d—z)／ 一 、 投影光剡 的驻波效应 eos0D， 设入射光在光刻胶 内，以e角入射在 基 E ，=A~vxp(-i)expC-a(d—z)／cose0， 一 37— 维普资讯 E ‘’z=A-slng~exp(一i)exp(一a(d—z)，cos。i) (i ose．一az／c∞ )。 (～i日1)。 (7} (8) 令光刻胶与基底界面的振幅反射系数为 其中，令A，=AI=A，^1=x／nj为