塑料基底a-Si：HTFT制备技术研究.pdfVIP

塑料基底a．Si：HTFT$1]备技术研究1 姚建可，许宁生，邓少芝‘，陈军，佘峻聪，王彬 光电材料与技术国家重点实验室，广东省显示材料与技术重点实验室，中山大学，广州，510275 1rI丌 摘要：用300CPECVDI艺，在50 E高分子塑料片上制备了20×20的底栅结构a—Si：H um厚的Kapton 阵列。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si：H薄膜的结构，用二探针法和四探针法分别表征了a—Si：H薄膜 等平板显示器件的开关寻址电路要求。 关键词：塑料基底，a-Si：HTFT，柔性显示 E高分子塑料片，在5cmx5cm的衬 Kapton 1引言 底上制备20x20TFT器件阵列。TFT器件采 柔性显示器件是倍受显示领域关注的 用底栅结构(如图1所示)，尺寸为：沟道 新型平板显示器件技术之一，而柔性TFT电 宽度W=180pm、长度L=20pm，每层薄膜的 路阵列的实现，是实现有源驱动柔性显示器 厚度见图l所标注。器件结构层制备技术如 件的关键。目前，柔性TFT实现主要基于两 E高分子塑料衬底 下：采用PECVD在Kapton 制备200nm 种衬底：不锈钢衬底和塑料衬底，其中塑料 SiN。缓冲层，衬底的上下两面均 衬底具有重量轻、有弹性、可折叠、简洁和 制备有SiN。缓冲层；采用磁控溅射方法制备 成本低廉等优点Ⅲ；另外，某些塑料(例如 栅极、源／漏极薄膜，材料体系采用金属Cr； E塑料)的玻璃转化温度可以达到 采用标准的300℃PECVD工艺制备300nm Kapton 350℃，可以满足a．Si：TFT各结构层制备工 50nm本征a．Si：H沟道和30nm SiN。绝缘层、1 艺温度的要求，从而使基于塑料衬底的TFT n+a．Si：H欧姆接触层，具体工艺参数如下： 能够实现，并且性能不差于玻璃衬底的TFT SiNx绝缘层制备采用SiH4和NH3气体，气体 【2】。 本文介绍基于塑料衬底上开展a-Si：Ha-Si：H薄膜制备采用加气稀释的5％SiI-h： TFT器件制备技术的研究工作，目标是获得 n+a-Si：H薄膜制备采用心稀释的5％SiI-L,和 满足TFT-LCD或微胶囊电泳显示器件开关时稀释的5％PH3，气体流量比为Sill4： 寻址电路应用要求的TFT器件性能。 PH3=1000sccm：50sccm。 2 TFT制备 a-Si：H TFT器件衬底采用50岬厚的 1基金项目；第四十六批中国博士后科学基金面上资助。 ‘通讯作者联系方式：电话：020．841 6 吒㈣31 岔=“ i：∞j露翳警黧：赢 蓊臁 ………m Wavenumber(∽11 图1 a-Si：HTFT结构剖面图 Crosssectionofa-Si：Hmoo 图2a-Si：H薄膜红外 Fi91 plastic 光谱 为了计算a—Si