计算机电路基础（第二版）何超电子教案 计电二版 第3,4章.pptVIP

计算机电路基础(第二版)  何超 主 编 中国水利水电出版社 第3章 半导体器件基本知识 3.1 半导体的导电特性 3.1.1 本征半导体与本征激发 半导体的主要导电形式 电子导电 空穴导电 (空穴:共价键的位置上少了一个束缚电子) 半导体的材料:硅（Si）和锗（Ge） 本征半导体:完全纯净的半导体。 空穴导电:空穴向相反的方向运动. ☆电子和空穴统称为载流子，电子带负电荷，空穴呈现为正电荷。 图3-1 电子、空穴对的产生 3.1.2 P型半导体和Ｎ型半导体 根据掺入杂质元素的不同，杂质半导体又可分为P型（也叫“空穴型”）半导体和Ｎ型（也叫“电子型”）半导体两大类。 P型半导体 :在硅（或锗）晶体内掺入少量的三价元素杂质，如硼（或铟） 说明：在P型半导体中，杂质原子的三个价电子与周围的四个硅原子形成共　　　　　　价键时，未能饱和，留有一个空位，形成空穴。请注意，这个空穴是掺杂产生的。 Ｎ型半导体：在硅（或锗）晶体内掺入少量的五价元素杂质，如磷（或锑） 　Ｐ型半导体的共价键结构和图３-３Ｎ型半导体的共价键结构如下： 图3-2 P型半导体的共价键结构和图３-３Ｎ型半导体的共价键结构 3.2.1 PN结及其单向导电性 “PN结”：不能移动的带正电或负电的离子通常称为“空间电荷”，它们集中在P区　　　　和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区 PN结具有单向导电性 PN结具有单向导电性： 　加正向电压时，其电阻很小，电流几乎可以畅通无阻；而加反向电压时，其电阻很大，电流就很难通过。 3.2.2 半导体二极管 1．二极管的类型和结构: ⅰ半导体二极管按所用材料不同分 点接触型二极管的结构 点接触型二极管的结构：如图3-7（a）所示是由一根很细的金属丝（如三价元素铝）与一块Ｎ型锗晶片的表面相接触，然后从正方向施加很大的瞬时电流，使触丝与锗晶片牢固地熔接在一起而构成PN结，接出相应的电极引线，并以外壳封装而成。与金属丝接在一起的引出线为二极管的阳极，从晶片支架引出的线为阴极。 面接触型二极管的结构如图3-7（b）所示 图3-7（c）所示是硅工艺平面型二极管的结构图 二极管的符号如图3-7（d）所示 P区一侧为阳极a，Ｎ区一侧为阴极k 2．二极管的特性 二极管的特性: 主要用伏安特性曲线表示。它反映了通过二极管的电流随外加电压变化的规律 曲线形状如图3-8所示 3．二极管的主要参数及选用方法 （1）最大整流电流Ⅰ: 这是指二极管在长期运行时所允许通过的最大正向平均电流 （2）最高反向工作电压UＲ: 这是指二极管在工作时允许承受的最高反向电压，为确保二极管长期运行的安全，通常取值为反向击穿电压的一半 （3）最大反向电流ⅠR: 这是指在一定环境温度条件下，让二极管承受反向工作电压、尚未反向击穿时的反向电流值。 （4）最高工作频率fM: 加到二极管上的信号源或电压源一般都是交流电 3.2.3 稳压二极管 稳压二极管: 是一种工作在反向击穿区、并且当反向电压撤除后其性能仍恢复正常的特殊二极管。 电气符号和典型的伏安特性如图3-10所示 稳压管的参数主要有： （1）稳定电压UZ 指稳压管在正常工作时管子的端电压。低的为3V，高的可达300V，一般在3~25V。 （2）稳定电流IZ 指稳压管正常工作时（即保持稳定电压UZ时）时的参考电流。 （3）最大耗散功率PZM 最大耗散功率也叫“额定功耗”，是指稳压管不至于产生过热损坏时的最大功率损耗值。 （4）动态电阻rZ 稳压管端电压的变化量ΔuZ与对应电流变化量ΔiZ之比叫稳压管的动态电阻 （5）稳定电压的温度系数 指稳压管的稳定电压UZ随工作温度变化影响的系数 图3-11所示是压电路稳压管组成的稳 3.3 半导体三极管（晶体管或BJT） 3.3.1