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半导体光电器件的特性参数与选择 半导体光电器件主要包括光电导器件与结型光电器件，它们的主要特性参数如表所示。 从表中可以看出，主要特性参数包括光谱响应特性、时间响应特性、光电响应的线性和它们的偏置特性。 半导体光电器件的特性参数与选择 对半导体光电器件的主要特性参数进行比较 : (1)光电变换的线性 光电二极管（包括PIN与雪崩管）的线性最好，其他依次为零伏或反向偏置状态的光电池、光电三极管、复合光电三极管等。光敏电阻的光电变换的线性最差。 (2)动态范围 动态范围分为线性动态范围与非线性动态范围。在线性动态范围方面，反向偏置状态的光电二极管动态范围最好，光电池、光电三极管、复合光电三极管较好，光敏电阻最差。光敏电阻的非线性动态范围要比其他光电器件宽。 半导体光电器件的特性参数与选择 对半导体光电器件的主要特性参数进行比较 : （3）灵敏度 光敏电阻的灵敏度最高，其他依次为雪崩光电二极管、复合光电三极管和光电三极管，光电二极管的灵敏度最低。 （4）时间响应 PIN与雪崩光电二极管的时间响应最快，其他依次为光电三极管、复合光电三极管和光电池，时间响应最慢的是光敏电阻，它不但惯性大，而且还具有很强的前历效应。 （5）光谱响应 光谱响应主要与光电器件的材料有关，要视具体情况。一般来讲光敏电阻的光谱响应要比结型光电器件的光谱响应范围宽。尤其在红外波段光敏电阻的光谱响应更为突出。 半导体光电器件的特性参数与选择 对半导体光电器件的主要特性参数进行比较 : （6）供电电源与应用的灵活性 光敏电阻没有极性，可用于交、直流电源。光电池不须外加电源就能进行光电变换，但线性很差，而其他结型光电器件必须在直流偏置电源下才能工作。因此，光电池的应用灵活性较高，光敏电阻与其他结型光电器件的应用灵活性较差，但它们都适应于低压下工作。 （7）暗电流和噪声 光电二极管的暗电流最低，光敏电阻、光电三极管、复合光电三极管和光电池的暗电流较大，尤其是放大倍率大的多极复合光电三极管及大面积的光电池的暗电流最大。 半导体光电器件的应用选择 选用光电器件的基本原则： （1）光电器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上实现匹配。 （2）光电器件的光电转换特性或动态范围必须与光信号的入射辐通量相匹配。 （3）光电器件的时间响应特性必须与光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以确保变换后的信号不产生频率失真引起的输出波形失真 半导体光电器件的应用选择 选用光电器件的基本原则： （4）光电器件与变换电路必须与后面的应用电路的输出阻抗良好地匹配，以保证具有足够大的变换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等。 （5）为保证器件长期工作时的可靠性，必须注意选择器件的参数和使用环境等。