电子技术 教学课件 作者 王建珍 01.pptVIP

§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型晶体管 §1.4 单极型晶体管 1.3.2 三极管电流控制作用 1．基本共射放大电路 §1.3 双极型晶体管 2．基本共射放大电路三极管内部载流子运动情况 §1.3 双极型晶体管 （1）发射区向基区发射电子过程 （2）电子在基区中的扩散与复合过程 （3）集电区收集电子过程 3．三极管的电流分配关系和电流放大系数 §1.3 双极型晶体管 （1）发射区向基区发射电子过程 （2）电子在基区中的扩散与复合过程 （3）集电区收集电子过程 §1.3 双极型晶体管 集电极电流IC与基极电流IB之比称为共射直流电流放大系数 1.3.3 三极管的共射特性曲线 三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线。 §1.3 双极型晶体管 1．输入特性曲线 §1.3 双极型晶体管 输入特性曲线描述了三极管电压降（以下简称管压降）UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结电压降uBE之间的函数关系，即 §1.3 双极型晶体管 §1.3 双极型晶体管 2．输出特性曲线 输出特性曲线是描述输入电流iB为一常量时，集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系。 §1.3 双极型晶体管 3．温度对特性曲线的影响 图1-23 温度对三极管特性曲线的影响 §1.3 双极型晶体管 1.3.4 三极管的主要参数 1．共射电流放大系数β和 集电极电流IC与基极电流IB之比称为共射直流电流放大系数。 两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β §1.3 双极型晶体管 2．极间反向电流 ICBO为发射极开路，集电结加反向电压时，集电极流过的反向饱和电流。 ICEO为基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时集电极直通到发射极的电流，由于它是从集电区穿过基区流向发射区的电流，所以又叫穿透电流。 §1.3 双极型晶体管 3．极限参数 （1）最大集电极电流ICM （2）最大集电极耗散功率PCM （3）极间反向击穿电压 §1.3 双极型晶体管 图1-24 三极管的功耗曲线 §1.3 双极型晶体管 4．温度对三极管参数的影响 （1）温度对反向饱和电流ICBO的影响 （2）温度对电流放大系数β的影响 （3）温度对UBE的影响 §1.4 单极型晶体管 1.4.1 基本结构和工作原理 1．N沟道增强型MOS管的结构 图1-25 ?N沟道增强型MOS管的结构 电子技术 * 第1章 半导体技术 授课教师： Chapter1 半导体器件 自然界中的各种物质如果按导电性能强弱可分三大类： 一类是导电能力很强的物质，称为导体，如铜、铁、铝等金属材料； 另一类是在一般条件下很难导电的物质，称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、玻璃等； 还有一类导电能力介于导体和绝缘体之间，称为半导体。 §1.1半导体基础知识 §1.1半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 完全纯净、没有任何杂质、结构完整的半导体单晶体称为本征半导体。 §1.1半导体基础知识 若在一定温度或在一定强度光的照射下，少数价电子可以从外界获得足够的能量而挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空位，这种现象称为本征激发（热激发），这个空位称为空穴。 §1.1半导体基础知识 我们把运载电荷的粒子称为载流子。而本征半导体导电有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 本征半导体在本征激发下会产生自由电子—空穴对，自由电子在运动过程中如果和空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。 §1.1半导体基础知识 在实际应用中，为了提高其导电能力，需要在本征半导体中掺入杂质，这样一方面可以显著提高其导电能力，另一方面还可以通过控制掺入杂质的多少达到控制半导体导电能力强弱的目的。 结论： 1．N型半导体 在硅（或锗）的本征半导体中掺入微量的5价元素（磷），形成N型半导体。 N型半导体的显著特点：自由电子多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子），是由热激发（本征激发）产生的。 1.1.2 杂质半导体 §1.1半导体基础知识 2．P型半导体 在硅（或锗）本征半导体中掺入微量3价元素（硼），形成P型半导体。 P型半导体显著特点：自由电子是少数载流子（少子），空穴为多数载流子（多子）。 §1.1半导体基础知识 §1.1半导体基础知识 §1.1半导体基础知识 1.1.3 PN结及其单向导电性 1．PN结的形成 由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。 在P型半导体和N型半导体的交界处形成一个很薄的空间电荷区，在空间电荷区内，由于正负杂质离子相互作用，形成一