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电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc．
1 7(5)I479～4801998年 479
王纪文王永瑞张寿柏+ 赵小林。 常建龙+
(上海交通大学材料科学系，上海200030)．
(*上海交通大学教育部薄膜与微细加工国家开放实验室，上海200030)
由于巨磁阻材料具有极高的磁阻变化率和许多其他的优良物理性能，其在磁传感器及磁阻
式薄膜磁头方面具有潜在的应用价值。颗粒膜不仅具有优良的磁性能，且发现其具有各向同性巨
磁阻效应，因此，巨磁阻颗粒膜材料成为近来研究的热点c1’2]。
膜样品进行结构分析。
Co。Ag。一，的成分。根据不同成分薄膜400
围表明，GMR与薄膜的微结构关系密切，不同的工艺条件造成不同的薄膜结构，最终得到不同
向，这一择优取向可能是由沉积电镜样品的KCI单晶引起。在第二环的外侧，有四个比较弱的斑
大，约为70am。晶粒的形状不规则，多数为长针状颗粒，这种不规则形状使晶粒的表面积增大，
增加了晶面／体积比，使更多的Co粒子界面产生自旋相关散射，从而使薄膜的巨磁阻效应达到
最大。退火温度高时，Co粒子长大，晶界面积减小，GMR反而下降。
结论
10min后的GMR达到3．6％。
电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc
480 17(5)z479～4801998年
退火温度高时，Co粒子长大，晶界减少，GMR反而下降。
参考文献
AE，MitcheliJ Review
[1]Berkowitz R．PhysicaiLetters，1992，68(22)：3745．
LM，Hood o)l6595．
[2]Falicon RandolphQ．J．Appl．Phys．，1994，76(1
[3]TsoukatosA，WanH．Appl．Phy．Lett．，1992．61：3059．
图1 Con，Ag，”颗粒膜溅射态和
400℃热处理后的磁阻变化
曲线
图2 Co
CozAg硪，薄膜溅射态电子衍射花样 图3 23tAgte。薄膜溅射态形貌图
图4 Co
C02A97¨薄膜400℃热处理10min圈5 23 7Ag，¨薄膜400℃热处理lOmin
后的电子衍射花样 后形貌图
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