计算机组成原理与系统结构 教学课件 作者 马礼 第6章 主存储器与存储系统.ppt

第6章 主存储器与存储系统 本章主要内容： 本章讲述存储器的分类、主存储器的构成和并行主存储器的思想及设计方法；存储系统的概念及存储系统的构成。重点掌握并行主存储器的构成，Cache的组成原理与地址映射方式、替换算法；掌握段式、页式和段页式虚拟存储器的构成原理、地址映射方式等。 6.1 存储器分类 （1）随机存储器（Random Access Memory，RAM）。 （2）只读存储器（Read Only Memory，ROM）。 （3）可编程只读存储器（Programmable ROM，PROM）。 （4）可擦除可编程只读存储器（Erasable PROM，EPROM）。 （5）电可擦除可编程只读存储器（Electrically EPROM，E2PROM）。 6.2 主存储器的主要技术指标 主存储器的主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储器存储周期。 存储器存取时间（Memory Access Time） 存储周期（Memory Cycle Time） 主存储器的速度和容量两项技术指标 6.3 读写存储器 6.3.1 静态RAM 1．静态RAM的 基本电路 2．静态RAM的结构 3．静态RAM芯片实例——Intel 2114 4．由2114 SRAM构成规定容量的存储器 6.3.2 动态RAM 1．动态RAM基本存储电路 2．动态RAM的特点及举例 3．动态RAM的刷新 6.4 非易失性半导体存储器 6.4.1 只读存储器（ROM） 6.4.2 可编程只读存储器（PROM） 6.4.3 可擦除可编程只读存储器EPROM） 1．EPROM的存储电路 2．典型EPROM芯片的介绍 按上述原理及工艺制造的EPROM芯片 常用的有27系列，如2708（1K8）、2716 （2K8）、2764（8K8）、27128（16K8） 和27512（64K8）等 6.4.4 电可擦除可编程只读存储器（E2PROM） 1．E2PROM的特点 E2PROM（Electric Erasable PROM）突出 的优点是可以在线擦除和改写。 2．E2PROM芯片介绍 6.4.5 快速擦写存储器（Flash Memory） 1．Flash的主要性能特点 2．Flash的工作原理 6.4.6 几种新型存储器 1．高速缓存动态随机存储器（Cached DRAM，CDRAM） 2．Direct Rambus接口动态随机存储器（Direct Rambus DRAM，DRDRAM） 3．双数据传输率同步动态随机存储器（Double Data Rate SDRAM，DDR SDRAM） 4．同步链动态随机存储器（Synchnonous Link DRAM，SLDRAM） 5．虚拟通道存储器（Virtual Channel Memory，VCM） 6．快速循环动态存储器（Fast Cycle RAM，FCRAM） 7．扩展数据输出动态存储器（Extended Data Out DRAM，EDO DRAM） 6.5 主存储器组成 存储器扩展有以下三种方法。 6.5.1 位扩展 指用多个存储器器件对字长进行扩充。位扩展的 一般方法是： （1）在给定的芯片中选择合适的芯片，并确定使 用数量； （2）将选中芯片的地址线、读写线、片选线对应 连接； （3）将数据线单独连接，拼接成要求的数据宽 度。 例如，使用Intel 2114（1K×4）芯片扩展成为 1K×8容量的存储器。根据要求可以选用2片 2114，按如图6-12所示连接。 6.5.2 字扩展 指用多个存储器器件对字数进行扩充。字扩展 的一般方法是： （1）在给定的芯片中选择合适的芯片，并确定 使用数量； （2）将选中芯片的低位地址线、读写线、数据 线对应连接； （3）用高位地址线译码，将输出接至各芯片的 片选端。 例如，使用Intel 2114（1K×4）芯片扩展成为 4K×4容量的存储器。根据要求可以选用4片 2114，按如图6-13所示连接。 6.5.3 字位扩展 如果已有芯片m×n若干块，现在要扩展为 M×N（设Mm，Nn）容量的存储器，则字位扩 展共需要m×n的芯片数量为 ： C= 字位扩展的一般方法： （1）选择芯片先进行位扩展，扩展成“组”，使得 “组”的字长达到要求的字长； （2）再用“组”进行字扩展，按照字扩展的方法将 字数增加到目标字数。 举例见例6-2。 6.6 相联存储器 一般的存储器都是按地址访问的，相联存