四价添加剂在ZnO压敏电阻器中的作用机理分析.pdfVIP

中国电子学会敏感技术分会电压敏学部第十八届学术年会论文专刊 四价添加剂在ZnO压敏电阻器中的作用机理分析 Themechanismoffourvalence inZnOvaristors element-doped 曹全喜，邹青文．姚镊华 西安屯了科技^学技术物理学院目安710000 *{：{z莅女#**鼙％餐鼢十#静#Ⅻh i#∞镕☆％目#甘勺**ZnO￡＆∞自m$降mr＆ⅡEm≈*自B#《自十∞自自＆佳￡*≈％自＆hR*女 TZnO¨Ⅱ《自＆#《。*刹月“镕自f＆☆镜q}镕”H镕gm≈rn*。 **目zno．E#自Ⅱ#＆．＆ⅨM，日”ii 1引言 3模型构建与计算方法 zn0压敏电目器是一种多晶半导体陶瓷材料．“2n0 3l模型构建 为主体，添∞少量的Bi～0sk0，、co，仉、MnCO、、sz0，等 在rASP巾建立 采用陶瓷I艺烧结m成。zn0压敏电日器具有非常优良的 ZBO的2×2×2超晶 非线性伏安特性和冲击能量耐受能力，目n，ZnO压敏电 胞，如图1所示。其 阻器作为抑制瞬间高Ⅱ吸收浪涌电能的理想器件被广 中A替代2n原}*成 瑟应用于各类电力设备和电子系统的浪涌过电＆保护中； 替位掺杂。每十超胞 舔加!价A r_离子能有救∞降低ZnO晶粒电阻率． 有32十原子，16十O 从Ⅻ降低残Ⅸ＆，但是过量的添加Al。离子会导致捕电流 原子，16个厶原子。 增大+{利f器件的稳定性。本文在变驻和L1算机模拟计 对ZnO进行掺杂后的 算的基础t．研究了在ZnO压敏中添加IVA元素离子的 分子式为Zn…An其 影响并从微观±自理论上对实验结果进行T分析。 中x为A杂质的Ⅲ子 2IrA元素的基本数据 分数。当超晶跑中只 有个zn原子艘替代 zn、o和ⅣA元素的基本数据如表】所i， 时，A原子的掺杂原子 考虑ⅣA元素对zn0的替位施丰掺杂．而实现替位的 分数x为6 25％，当有W个znⅢ子被替代时，掺杂原子分 必要条件之一是离子半径的差别较小，c4+与zn2‘曲离子 数为125％。 半径相差太大，替位几率可视为零。Pb{是g境友好材料， A“A“的形式替位T zn“．形成替位缺陷。替位莲 也不予使用，故下iR讨论A(代表Si、C,e#卧)对zn 程如下式所示 离子的替位接杂．其中钿。与zn24的离子半《相差最小，