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p-NiO/n-GaN发光二极管光电特性的研究 王辉1，2武超1张金香1史志锋1张宝林1马艳1董鑫1杜国同1 1集成光电子国家重点联合实验室，吉林大学电子科学与工程学院，长春130012 2河南科技大学物理科学与工程学院，洛阳 471003 摘要:本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜，从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了 NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V） 特性测试结果显示了该p-NiO/n-GaN异质结发光二极管典型具有典型的整流特性，开启电压大约2.2V。在正向偏压下，该二极 管室温下发出明显的紫外光，发光中心位于375nm。 关键词：GaN；NiO；磁控溅射；紫外光发光二极管 TN383.1 A Studyonthepropertiesofp-NiO/n-GaNdiodes HuiWang1,2ChaoWu1JinxiangZhang1ZhifengShi1 BaolinZhang1YanMa1Xin Dong1,GuotongDu1 1.StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics,CollegeofElectronicScienceandEngineering,JilinUniversity,Changchun 130012,China 2.CollegeofPhysicsandEngineering,HenanUniversityofScienceandTechnology,Luoyang471003,China Abstract:Thep-NiOthinfilmwaspreparedbyradiofrequencymagnetronsputteringonthen-GaN/sapphiresubstratetoformthe p-NiO/n-GaNheterojunetiondiode.Thestructural,opticalandelectricalpropertiesofthep-NiOthinfilmwereinvestigated.Theresults indicatedthattheNiOfilmhadgoodcrystalqualitiesandstablep-typeconductivities.Thecurrent-voltage(1-V)measurementofthe p-NiO/n-GaNdiodeexhibitedatypicalrectifyingbehaviorwithaturn-onvoltageofabout2.2V.Underforwardbias,aprominent ultravioletemissioncenteredat375nmwasobservedatroomtemperature. Keywords:GaN；NiO；magnetronsputtering；UV-LED 蕈-．—b_仝_化●■r牛-●俸、t馥l件和先电■l件掌：木●议 通过射频磁控溅射法采用高纯的NiO靶方结构的，较小的半高宽表明NiO薄膜具有 在商用的n-GaN衬底上成功制备了NiO薄较好的结晶质量。NiO薄膜的电学特性采用 膜。实验中衬底温度保持在400C，溅射气霍尔测试系统进行测试，结果显示了制备的 cm2， 体为时和02，衬底的尺寸是1．5×1．5 NiO薄膜具有优良P型导电特性，适用于制 载流子浓度和迁移率分别为8．78×10埔cm．’ 各p-NiO／n-GaN异质结器件。 和235cm2／V·S。采用真空蒸镀的方法分别蒸 镀Au和ln做为p-NiO和n-GaN层的电极， oC情况下退火， 最后将电极在N2气氛中350 退火时间为2min，以减少材料与电极之间的 接触电阻。p-NiO／n-GaN异质结器件的结构 示意图如图l所示。