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PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究 郭文涛1谭满清1焦健1郭小峰1孙宁宁1 1中国科学院半导体研究所，北京，100083 摘要：为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射 频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密 性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率，提高SiO2薄膜致密性的目的，采 用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌，对实验结果进行了验证。本文通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为 91.8A/s的SiO2薄膜。 关键词：PECVD;SiO2薄膜:致密性：BOE腐蚀速率 O4845 A StudyofImprovingtheCompactnessofSiO2ThinFilmbyPECVD WentaoGuo1ManqingTan1JianJiao1XiaofengGuo1NingningSUN1 1.InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China Abstract:Inordertoachievehighquality,gooduniformityandhighcompactnessSiO2barrierinmakinghigh-power980nm semiconductorlasers,theinfluenceofworkingpressure,RFpower,andSiH4flowratetodepositionrateandBOEetchrateofplasma enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)silicondioxidefilmisstudied.Theexperimentsshowedthecompactnessofsilicon dioxidethinfilmbyusingBOEetchrate.Theworkingpressure,RFpoweranddepositionsourcegasflowratewerevariedtodecreasethe etchrateofBOEandincreasethecompactnessofsilicondioxidethinfilm.Theatomicforcemicroscope(AFM)wasusedtoobservethe surfacemorphologyofthesamples.ThehighqualitysilicondioxidefilmwithlowBOEetchrateof91.SA/swasachieved. Keywords:plasmaenhancedchemicalvapordeposition;silicondioxide;compactness;BOEetchrate 第十七屠仝m-R．-a-4●，半导体、微波嚣件和光电器件掌术会-ix 率和致密性的影响。试验中用原子力显微镜 因为在更高的工作压力条件下，更多的气体 分子参与反应，同时导致更多的离子问碰 (AFM)分析不同工艺条件下Si02薄膜的表 面形貌和微观结构，得出不同薄膜缺陷，针 撞，在没有足够的时问获得电离所需能量的 孔及致密性的差异，从而对实验结果进行验 情况下，过于频繁的碰撞将使等离子体密度 证。用光纤光谱分析仪测量薄膜的厚度，用 下降，限制反应速率，因此在特定功率下， BOE腐蚀液来腐蚀Si02薄膜，记录腐蚀前 工作压力增加到一定值时沉积速率将不再 后的厚度差和所用的时间，即可得到腐蚀速 发生变化。 率。BOE腐蚀速率是反应Si02薄膜致密性 的一个重要标准。将HF，NH4F和去离子水 按照一定比例配比成的BOE溶液作为Si02 和SiN、：H薄膜的刻蚀剂而被广泛应用。本 实验中所用BOE腐蚀液的配比为 HF：NI-hF：DIWater=1：2：3。在实验过程中， 反应温度始