Al掺杂ZnO薄膜的结构及光学特性研究.pdfVIP

· 科技论坛 294· Al掺杂ZnO薄膜的结构及光学特性研究 辛 萍 刘 洋 石晓林 (吉林工商学院 基础部，吉林 长春 130062) 摘 要：采用射频反应磁控溅射方法，在 Si(100)基片和石英基片上制备了具有高C轴择优取向的A1掺杂ZnO薄膜。利用x射线衍 射、电子探针、透射光谱、光致荧光光谱等表征方法，研究了Al掺杂ZnO薄膜的成分、结构和光学性能。结果表明，薄膜具有六方纤锌矿结 构，并具有较好的结晶特征。在可见光及红外光范围内，薄膜具有较好的透明度；利用反转调试法拟合了透射光谱，得到了薄膜的厚度值。 通过光致荧光光谱的测量探讨 了Al元素的掺入对ZnO的带隙宽度的影响，发现在相同温度下，Al掺杂量较高的样品，其带边发光峰位明 显向高能端偏移 。 关键词：A1掺杂ZnO；磁控溅射；透射光谱 ；光致荧光 氧化锌(zn0)是新一代的Ⅱ一Ⅵ族宽带隙半导体材料，具有纤锌矿 存在明显的c轴择优取向。其余样品中，均只有(o02)衍射峰，而未出现 晶体结构，禁带宽度为3．37eV，同时在室温下的激子束缚能为60meV， (101)晶面衍射，因此各样品都具有较好的结晶特征。 可以实现室温下的紫外受激发射，因此它在蓝光及紫外光波段的发光 2-3透射光谱分析。对不同Al含量的ZnO薄膜作透射光谱的测 器件方面具有广阔的应用前景。ZnO通过掺杂，可以产生杂质能级峰， 量，以Al含量为0．3716％的样品为例，在可见光及红外光范围(380- 还可以调节带隙宽度，满足探测器检测和处理特定波长范围的需求，因 900nm)内，Zn0薄膜具有较高的通过率 (8O％以上)，这表明所沉积的 此掺杂ZnO的研究具有重要的实际意义。A1掺杂ZnO薄膜作为透明导 ZnO薄膜在可见光波段具有较好的透明度，薄膜从380nm左右透过率 电薄膜，因其热稳定性较好，原材料zn和Al储量丰富且价格低廉，具 开始显著上升，在可见光区(40o~800nm)的透射谱起伏振荡源于薄膜的 有良好的光学和电学l生质，其用途非常广泛。 干涉效应。此外，不同Al含量的薄膜样品的结果均与本样品结论相同。 本实验采用射频反应磁控溅射方法，在Si(1OO)基片和石英基片上 为获得ZnO薄膜的膜厚d的值，采用反转调试法来拟合透射光 制备了不同温度下生长的A1掺杂ZnO薄膜，通过x射线衍射、电子探 谱，直到拟合出来的吸收光谱与实验测得的吸收光谱在振荡周期、振幅 针技术对薄膜的结构和成分进行分析，并通过测量透射光谱和光致荧 上基本吻合。反转调试法拟合是建立在正确合理的光学模型和调试统 光光谱，探讨AI元素的掺入对ZnO薄膜的光学陛能的影响。 计学的基础上的，建立光学方程和厝基片结构的模型，适当的假设薄膜 1实验部分 的层结构和每层的光学参数。透射率和反射率能够通过薄膜每层的复 1．1样品制备。A1掺杂的ZnO薄膜是在JGPG450型超高真空磁控 折射率(n=n-ik)和膜厚(d)很容易的计算出来。n()和k()的函数表达 溅射设备上，利用射频反应磁控NNh--~制备的。实验中用金属Zn作 式如下式： 为溅射靶，直径为60mm，厚3ram，纯度优于99．99；金属Al以粒状嵌于 ，l。(A)=A+B 一C ) zn靶上，铝粒直径为2mm。反应溅射的气体为纯度优于9999％的Ar ()=Dexp(E／A)+F 和O的混合气体，Ar和O表观质量流量分别为8sccm和30sccm。生 其中的A…BCD、E、F是常数。拟合光谱图中给出了各参数的拟合 长基片采用n型(100)取向的单晶si片，厚度为420~m。溅射前对 si基 结果。通过观察可以看到，调试法所计算出来的透射谱和实验测得的透 片进行清洗处理：将硅片分别放入丙酮、乙醇和去离子水中用超声波清 射谱在振荡的周期、振幅上相互重叠的比较好，说明拟合结果是可信 洗5min；再将硅片放入H2SO：H~P04=3：1(体积比)的溶液中浸泡20h； 的。由拟合结果知道，该薄膜的厚度为670nm，这样的膜厚导致了可见 在5％的HF酸溶液中腐蚀2min，以便剥离