锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于安徽
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锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究.pdf

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锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究屠海令1 肖清华2 苏小平3马通达1魏峰1杜军1 1北京有色金属研究总院，北京1000882有研半导体材料股份有限公司，北京100088 3北京国晶辉红外科技股份有限公司，北京100088 Abstract:TheinventionofGesemiconductortransistorsstartsthemicroelectronicrevolution.Avastamountofre searchworkonGehasledtotheformulationofmanybasicphysicalprinciplesandtheorieswhicharecurrentlystill ofimportance.Althoughsilicontodayistheworkforceforlargescaleintegratedcircuits,theinteresthasrisenfor thehighmobilitymaterialssuchasGeandSiGewhichwillbeappliedtothedivicesatthe32nmtechnologynodeand beyond.ThepresentpaperdescribesthelatticemismatchofSiGe/SistructuresandtheadvantageofGaAs/Ge.The experimentalresultsrelatedwithGeimplantationandsolidstateepitaxy,theSi/SiGe/SiheterostructureonSOI substratesandthehighkmaterialNd2Hf2O7grownonGearereported.Finally,thelowdimensionalandnanoGe andGe-basedmaterialsusedforthespintronicdevices,quantumdots,singleelectrontransistorsandquantumcom putingarediscussed. 引言 1947年锗晶体管的发明引起了微电子技术的革命[1]。围绕着锗材料和器件展开的一系列基础研究与技术创新奠定了信息产业发展的基础，所得出的若干理论和物理原理至今仍然非常重要 [2-4]。二十世纪五十年代中期，硅由于pn结反向电流比锗低得多且能在更高的环境温度下工作而迅速发展 ;特别是硅集成电路的应用，开始了一个以硅为主流半导体材料的新纪元。均 Ge浓度f 戋形成半位J |g穿透位锗。，I．上己匕，t肇J nJMI ‘月 Ⅸ 较高的库伦 larameDL,] StainsC.L,t ~ran.IEEEElt