磁控溅射法制备硒化银薄膜及其磁电阻效应研究.pdfVIP

第43卷 第 11期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．43 No．11 2014年 11月 J0URNAL OF SYNTHETIC CRYs1 LS November，2014 磁控溅射法制备硒化银薄膜及其磁电阻效应研究 朱汉明 ，乐 松 ’ (1．暨南大学物理系，广州 510632；2．暨南大学思源实验室，广州 510632) 摘要 ：采用磁控溅射后退火的方式成功制备了硒化银薄膜，膜厚约为310nm。X射线粉末衍射分析表明所制备薄 膜为单相正交结构，伴随择优取向；比较不同退火温度的效果后发现300oC退火后的薄膜样品结晶最好。扫描电 子显微镜、x射线能谱分析表明300oC退火后样品均匀致密，元素组分接近原始比例 ，是较为适宜的退火温度。低 温磁电阻测试显示薄膜样品具有明显的正磁电阻效应，90K附近达到最大磁电阻值 7．3％。霍尔系数测量得到薄 膜样品室温载流子浓度与霍尔迁移率分别为2．2×10 em 与221cm -V～ ·S～。 关键词：硒化银；磁电阻效应；磁控溅射 中图分类号：0484．3 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2014)11-2892-05 M agnetoresistanceEffectofSilverSelenideThinFilms FabricatedbyMagnetronSputtering ZHU Han．ming ．YUESong ， (1．DepartmentofPhysics，JinanUniversity，Guangzhou510632，China；2．SiyuanLaboratory，JinanUniversity，Guangzhou510632，China) (Received20June2014，accepted8August2014) Abstract：Silverselenidethinfilmswhichthicknessisabout310nm，havebeenpreparedbyannealing aftermagnetron sputtering．X-raypowderdiffraction analysisconfirinsthattheobtained filmsareof single-phaseorthorhombicstructurewithpreferredorientation，andthefilm after300oC annealinghasthe bestcrystallizationcomparedwiththoseannealedatothertemperatures．Scanningelectronmicroscopyand energydispersivespectroscopyanalysesreveal thatthefilm after300 ℃ annealingishomogeneousand densewiththeelementcompositionsapproachingthestartingcompositions．whichprovesthat300℃ is more appropriate for silver selenide thin film annealing． Magnetoresistance measurementat low temperaturerevealsthatthefilmshaveobviouspositivemagnetoresistance，havingthemaximum value7． 3％ near90K．Ha1lefiectstudv showsthatthefilmshaveha1lm0bilitv0f221cm ．V_。．s_。and carrier