氮化镓结型器件的EBIC与CL研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于安徽
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氮化镓结型器件的EBIC与CL研究.pdf

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第十五届全圈化合物半导体、微波器件和光电器件掌术会议／-．-州’08 WED．-GaN．．F05 I 氮化镓结型器件的EBC和CL研究刘文宝1，孙苋1，江德生1，赵德刚1，刘宗顺1，张书明1，朱建军 1，段俐宏1，杨辉2 (1中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室，北京100083) (2中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。苏州，215125) 结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBlC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了二扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为O．1pm左右，N区GaN中少子扩散长度约为O．6岬，非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于lpm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较，发现耗尽区的EBIC电流信号最强，而CL荧光信号较弱，二者信号强度大小呈互补关系。根据耗尽区的内建电场模型对这种现象做出很好的解释。关键词：氮化镓，电了束感生电流，阴极荧光，少了扩散长度中图分类号：文献标识码：文章编号： ofGaNuncti ons EBI CandCL Study j by Wenbao Liul，Xian Sunl，DeshengJian91，DegangZha01，ZunshunLiul，ShumingZhan91， Duanl，Hui JianjunZhul，LihongYan92 State On 《l Keylaboratory Optoelectronics，InstituteofSemiconductors．Chinese Integrated AcademyofSciences,Beijing,100083) 陀SuzhouInstitute ofNanotechandNanobionics,ChineseAcademyofSciences,Suzhou,215123) Abstract：Inthis we the ofGaN—based andPIN devices electron paperpresentinvestigations Schottky typejunction throughscanning diffusionindifferent microscopy(SEM)，electron-beam—inducedcurrent(EBIC)，andcathodoluminescence(CL)．Minority·carrierlengths wereobtained thedataofEBIClinescan diffusionofabout for GaN—layers byfitting configuration．Aminority—carderlength O．1ima in than electronsthe forholesin andmore l岬forholesinunintentionaldopedGaN weredetermined． p-type，aboutO．61an n·type layer the CL fromthesame betweentheEBIC