电力电子技术基本概念和基础知识练习带答案(大工复习).pdfVIP

电力电子技术基本概念和基础知识练习：（王兆安、黄俊 第四版） 第1 章 电力电子器件 填空题： 1. 电力电子器件一般工作在_开关_状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__ ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主 要为_开关损耗__ 。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由_控制电路_ 、_驱动电路_ 、_ 电力电子器件_三部分组成，由于电路 中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_ 。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型_ 、 _双极型_ 、_复合 型_三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为_加正向压降导通、加反向压降关断_ 。 6. 电力二极管的主要类型有_普通二极管_ 、_ 肖特基二极管_ 、 _快恢复二极管_ 。 7. 肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8. 晶闸管的基本工作特性可概括为 _ 阳极和阴极_ 正向有触发则导通、反向截止 _关断_ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL_＞_IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDRM_＜_Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的_ 多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_开通_ 。 14.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截至区_ 、前者的饱和区对应后者的_放大区_ 、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区_ 。 15. 电力MOSFET 的通态电阻具有_正_温度系数。 16.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略降_ ，开关速度_小于_ 电力MOSFET 。 17.功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功率集成电路_ 。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_ 电压型_和_ 电 流型_两类。 19.GTR 的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_使GTR 导通时处于临界饱和状态_ 。 20.抑制过电压的方法之一是用_ 电感_ 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中， 快速熔断器的全保护适用于_ 中、小_功率装置的保护 。 21.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快恢复_型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配 合。 22.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是_ 电阻均压_措施，给每只管子并联 RC 支路是_ 动态均压_措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用_先串后并_ 的方法。 23.IGBT 的通态压降在1/2 或1/3 额定电流以下区段具有_负_温度系数， 在1/2 或1/3 额定电流以上区 段具有_正_温度系数。 24.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、 电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_P.Diode_ ，属于半 控型器件的是_SCR_ ，属于全控型器件的是_GTO、GTR、IGBT、P.MOSFET_ ；属于单极型电力电子器件的有 _P.Diode、P.MOSFET_ ，属于双极型器件的有_SCR、GTR、GTO_ ，属于复合型电力电子器件得有 _ IGBT_ ； 在可控的器件中，容量最大的是_SCR_ ，工作频率最高的是_P.MOSFET_ ，属于电压驱动的是_P.MOSFET、IGBT_ ， 属于电流驱动的是_SCR、GTR、GTO_ 。 第2 章 整流电路 填空题： 1. 电阻负载的特点是_输出电流与输出电压波形相同_ ，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控 制角α的最大移相范围是_0~180 °_ 。 2.阻感负载的特点是_ 电流无法突变_ ，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管 控制角α的最大移相范围是_0~180 °_ ，其承受的最大正反向电压均为_√2 _ ，续流二极